模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白.docxVIP

-让每一个人同等地提升自我 模拟电子技术基础 第四版 清华大学电子学教研组编 童诗白华成英主编 自测题与习题解答 山东大学物理与微电子学院 1 -让每一个人同等地提升自我 目录 第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 3 第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 41 第5章放大电路的频次响应‥‥‥‥‥‥‥‥ 50 第6章放大电路中的反应‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 60 第7章信号的运算和办理‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 74 第8章波形的发生和信号的变换‥‥‥‥‥‥ 90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 126 2 -让每一个人同等地提升自我 第1章常用半导体器件 自测题 一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。 (1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√) (2)因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×) (3)PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。(√) (4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。(×) (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证 其RGS大的特点。(√) (6)若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，