三明功率半导体芯片项目投资计划书（参考模板）.docx

泓域咨询/三明功率半导体芯片项目投资计划书 报告说明 离子注入工艺掺杂系低浓度掺杂，主要用于形成浅结的平面工艺相关半导体芯片；扩散工艺掺杂主要系高浓度掺杂，应用于深结的台面工艺或其他半导体芯片。通过前表可知，总体而言，扩散掺杂工艺主要用于功率二极管芯片生产。液态源、气态源为最原始的掺杂源，发展较早，主要应用于扩散均匀性要求不高的工艺如OJ工艺二极管芯片，因其有毒有害不环保、不易保存，且在芯片生产中扩散浓度不可控、扩散浓度均匀性差，将逐步被膜状扩散源替代。固态源中的片状扩散源发展已近50年，出现相对较早，目前在功率二极管领域应用相对较少；膜状扩散源出现于90年代，发展相对较晚，目前主要应用于GP