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电子束蒸镀机原理与技术资料 电子束蒸镀机原理与技术资料 电子束蒸镀机原理与技术资料 E-Gun原理與技術資料 一原理: 在早期的IC製程中，只有鋁被採用在金屬薄膜製程中，用加熱的方式用來沉積鋁金屬薄膜的方式也被廣泛的使用。電子束蒸鍍系統的開發就是為了要沉積高純度的鋁與其他金屬。 (一) ThermalEvaporation 鋁的熔點很低，大約是攝氏660度左右與其沸點為攝氏2519鍍都相當的低，所以在低壓下就很简单將鋁氣態化。早期用熱蒸鍍的方式來沉積鋁金屬膜用以形成閘極和連線之金屬層。如圖(一)。 圖一 (二) 電子束蒸鍍(E-GunEvaporation) 相較於熱蒸鍍的方式電子束蒸鍍的方法有其以下的優點。 1.可聚焦的電子束，能局部加溫元素源，因不加熱其他部分而防范污染。 高能量電子束能使高熔點元素(附錄一)達到足夠高溫以產生適量的蒸氣壓。圖（二）為蒸鍍機的坩鍋,圖（三）為整個E-GUN的結構表示圖。 圖(二) 圖(三) 圖（四） 圖（四）為電子束電位與坩鍋表示圖，一組可變直流電源供應給燈絲，當燈絲啟動後，在真空下的游離熱電子便因為電場的吸引而加速的射出來，如圖（四）中加速的電場為10KVDC，我們只要改變加速電場的大小就可以改變電子束射擊到坩鍋的地址,假設與電子束平行的地址為X軸方向，若是與交插電子束的地址加裝一組磁場,我們便能控制電子束左右的方向,以此我們稱為Y軸。 以電場