ZETEX ZXTS1000E6 ISSUE 1 - NOVEMBER 2000 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR AND SCHOTTKY DIODE 说明书用户手册.PDF

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2022-09-01 发布于广东
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ZETEX ZXTS1000E6 ISSUE 1 - NOVEMBER 2000 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR AND SCHOTTKY DIODE 说明书用户手册.PDF

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查询ZXTS1000E6供应商 ZXTS1000E6 12V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR AND SCHOTTKY DIODE SUMMARY Transistor: V =-12V, I = -1.25A CEO C Schottky Diode: V =40V; I = 0.5A R C DESCRIPTION A PNP transistor and a Schottky Barrier diode contained in a single 6 leaded SOT23 package. SOT23-6 FEATURES • Low Saturation Transistor • High Gain - 300 minimum • Low VF, fast switching Schottky APPLICATIONS • Mobile telecomms, PCMCIA SCSI • DC-DC Conversion ORDERING INFORMATION DEVICE REEL SIZE TAPE WIDTH QUANTITY (inches) (mm) PER REEL ZXTS1000E6TA 7 8mm embossed 3000 units ZXTS1000E6TC 13 8mm embossed 10000 units DEVICE MARKING Top View 1000 ISSUE 1 - NOVEMBER 2000 1 ZXTS1000E6 ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS. PARAMETER SYMBOL VALUE UNIT Transistor Collector-Base Voltage VCBO -12 V Collector-Emitter Voltage VCEO -12 V Emitter-Base Voltage VEBO -5 V Continuous Collector Current IC -1.25 A Schottky Diode Continuous Reverse Voltage VR 40 V Forward Current IF 0.5 A Non Repetitive Forwar