电子二极管及其基本电路.pptxVIP

第1页/共33页4.1.1 半导体材料 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强(可做成温度敏感元件，如热敏电阻)。光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做 成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极 管、光敏三极管等)。掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电 能力明显改变(可做成各种不同用途的半导 体器件，如二极管、三极管和晶闸管等）。第2页/共33页+4+4+4+44.1.2 半导体 (硅和锗)的共价键结构+4表示除去价电子后的原子共价键共用电子对（束缚电子） 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，绝对零度时束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。第3页/共33页+4+4+4+44.1.3 本征半导体完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。1) 载流子：(自由电子和空穴)在常温下，由于热激发，使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为自由电子，同时共价键上留下一个空位，称为空穴。（本征激发）空穴自由电子束缚电子第4页/共33页+4+4+4+42) 本征半导体的导电机理本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即自由电子和空穴。 * 电子带负电荷，电子移动形成电流（和电流规定的方向相反）。 * 空穴吸引附近的电子来填补, 相当于空穴的迁移，可以认为空穴是载流子。空穴带正电荷，空穴移动形成电流。 * 温度越高，载流子的浓度越高。因此本征半导体的导电能力越强本征半导体导电能力很弱,且随环境温度而变化。第5页/共33页4.1.4 杂质半导体在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。N 型半导体：自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称为（电子半导体）。P 型半导体：空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称为（空穴半导体）。第6页/共33页+4+4+5+4一、N 型半导体在本征半导体中掺入少量的五价元素磷（或锑），外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子五价元素磷称为施主原子。多余电子磷原子N 型半导体中的载流子：1、由施主原子提供的电子，浓度与施主原子相同。2、本征半导体中成对产生的电子和空穴。 掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，所以，自由电子浓度远大于空穴浓度。自由电子称为多数载流子（多子），空穴称为少数载流子（少子）。第7页/共33页+4+4+3+4二、P 型半导体 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如 硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价 键时，产生一个空穴。 这个空穴可能吸引束 缚电子来填补， 使得 硼原子成为不能移动 的带负电的离子。 由于硼原子接受电 子，所以称为受主原子。空穴硼原子P 型半导体中空穴是多子，电子是少子。第8页/共33页P 型半导体N 型半导体++++++++++++++++++++++++－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－三、杂质半导体的示意表示法杂质型半导体多子和少子的移动都能形成电流。但由于数量的关系，起导电作用的主要是多子。近似认为多子与杂质浓度相等。第9页/共33页4.2 PN结的形成及特性内电场－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++－－+++－－++－－++－－PN结的形成 内电场越强，漂移运动越强，而漂移使空间电荷区变薄。空间电荷区也称 PN 结 少子的漂移运动P 型半导体N 型半导体 扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，空间电荷区的厚度固定不变。浓度差多子的扩散运动 扩散的结果使