保定功率半导体芯片项目投资计划书.docx

泓域咨询/保定功率半导体芯片项目投资计划书 报告说明 离子注入工艺技术原理是利用离子源产生的等离子体，在低压下把气态分子借电子的碰撞而离化成离子，经过引出离子电极（吸极）、质量分析器、加速管、扫描系统、工艺腔体等高技术设备将掺杂元素注入到硅片中。离子注入工艺多用于制造集成电路芯片、SiC功率器件。 根据谨慎财务估算，项目总投资20448.80万元，其中：建设投资15560.10万元，占项目总投资的76.09%；建设期利息220.13万元，占项目总投资的1.08%；流动资金4668.57万元，占项目总投资的22.83%。 项目正常运营每年营业收入44900.00万元，综合总成本费用34840.5