第2章习题学习.pptxVIP

1 类似地，对于(110)平面，P23, 图2.4(a)和图2.6，有： 对于(111)平面，P23, 图2.4(a)和图2.6，有：     第1页/共12页 2 3. 求出简立方晶体、面心立方晶体和金刚石晶格中的最大晶体密度。 原子个数×每个原子的体积/晶胞的体积 设原子的半径为r，则r=a/2，每个原子的体积为4π(a/2)3/3=πa3/6 所以，填充分数为1×πa3/(6a3)=52%   第2页/共12页 3     (c) 对于金刚石晶格，一个单胞含有8个原子(其中8个顶角的每个原子为8个球所共有，立方体的6个面有6个原子，每个原子为2个面所共有，晶胞内部还有4个原子)。   如P27的图2.11(a)所示，点(1/2,0,0)与(1/4,1/4,1/4)之间的距离为     第3页/共12页 4 6. (a) 计算GaAs的密度（晶格常数为5.65Å，且每摩As和Ga的原子质量分别为69.72及74.92）。 (b) 一GaAs样品掺杂Sn，假如Sn替代了晶格中Ga的位置，那么Sn是施主还是受主？为什么？此半导体是n型还是p型？ 4/a3=4/(5.65×10-8)3=2.22×1022Ga或As原子/cm3 密度=(原子数×原子质量)/Avogadro常数 =2.22×1022(69.72+74.92)/6.02×1023=5.33g/cm3 (b) 如果GaAs样品掺杂Sn，且Sn替代了晶格中Ga的位置，则Sn是施主，因为Sn含有4个价电子，而Ga只含有3个价电子。最终的半导体是n型半导体。 第4页/共12页 5   解：   所以，Eg(100K)=1.163eV, Eg(600K)=1.032eV   所以，Eg(100K)=1.501eV, Eg(600K)=1.277eV 第5页/共12页 6 10. 在室温下，硅在价带中的有效态密度为2.66×1019cm-3，而GaAs为7×1018cm-3. 求出空穴的有效质量，并与自由电子质量比较。 在Si中空穴的有效质量为：   类似地，GaAs中空穴的有效质量为：mp=0.43m0 第6页/共12页 7 13. (a) 对速度为107cm/s的自由电子，其德布罗意波长多长？ (b) 在GaAs中，导带电子的有效质量为0.063m0.假如他们有相同的速度，求出对应的德布罗意波长。 λ= h/p =6.626 ×10-34/ 9.109×10-26=72.7Å (b) λn= m0λ /mn = 1×72.7/0.063= 1154Å 第7页/共12页 8 15. 一硅样品在T=300K时其受主杂质浓度为NA=1016cm-3. 试求出需要加入多少施主杂质原子，方可使其成为n型，且费米能级低于导带边缘0.20eV？ 因此，ND=1.26×1016+NA=2.26×1016cm-3 第8页/共12页 9 17. 求出硅在300K时掺入下列杂质情形下电子空穴浓度及费米能级： 每立方厘米1×1015个硼原子； 每立方厘米3×1016个硼原子及2.9×1016个砷原子。 (b) B原子补偿了As原子，则 pp=NA-ND=3×1016-2.9×1016=1015cm-3 所以，np=ni2/NA=(9.65×109)2/1015=9.3×104cm-3 所以np和EF的值与(a)计算的相同。但是两种情况下的迁移率和电阻率是不同的。 第9页/共12页 10 19. 假设完全电离的情形下，计算室温下当硅中分别掺入每立方厘米1015,1017,1019个磷原子情形下的费米能级。由求出的费米能级，检验在各种掺杂浓度下完全电离的假设是否正确。假设电离的施主是   第10页/共12页 11 利用上述计算的费米能级，可以得到电离的施主浓度分别为： 对于ND=1015cm-3, n=1015cm-3 对于ND=1017cm-3, n=0.93×1017cm-3 对于ND=1019cm-3, n=0.27×1019cm-3 因此，完全电离的假设仅仅适用于浓度为1015cm-3的掺杂。 第11页/共12页 12 感谢您的观看！ 第12页/共12页