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目录
SiNx:H简介
SiNx:H在太阳电池中的应用
PECVD原理
光学特性和钝化技术
系统结构及安全事项
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2
SiNx:H简介
正常的SiNx的Si/N之比为,即Si3N4。但是PECVD沉积氮化硅的化学计量比会随工艺不同而变化,Si/N变化的范围在左右。除了Si和N,PECVD的氮化硅一般还包含一定比例的氢原子,即SixNyHz或SiNx:H。
第2页/共30页
3
SiNx:H简介
物理性质和化学性质:
结构致密,硬度大
能抵御碱金属离子的侵蚀
介电强度高
耐湿性好
耐一般的酸碱,除HF和热H3PO4
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4
SiNx:H简介
Si/N比对SiNx薄膜性质的影响
电阻率随x增加而降低
折射率n随x增加而增加
腐蚀速率随密度增加而降低
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SiNx在太阳电池中的应用
自从1981年(Hezel),SiNx开始应用于晶体硅太阳电池:
* 减反射膜
* 钝化薄膜(n+发射极)
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6
SiNx在太阳电池中的应用
SiNx的优点:
优良的表面钝化效果
高效的光学减反射性能(厚度和折射率匹配)
低温工艺(有效降低成本)
含氢SiNx:H可以对mc-Si提供体钝化
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7
SiNx在太阳电池中的应用
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8
PECVD
PECVD
=Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition
即“等离子增强型化学气相沉积”,是一种化学气相沉积,其它的有HWCVD,LPCVD,MOCVD等。
PECVD是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
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9
PECVD ——等离子体定义
地球上,物质有三态,即:固,液,气。
其共同点是由原子或分子组成,即基本单元是原子和分子,且为电中性。
等离子体:气体在一定条件下受到高能激发,发生电离,部分外层电子脱离原子核,形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态,这种形态就称为等离子态,即第四态。
等离子体从宏观来说也是电中性,但是在局部可以为非电中性。
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PECVD原理
PECVD技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程,生成活性很高的各种化学基团,因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围,使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温下实现。
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CVD各工艺条件的比较
其它方法的沉积温度:
APCVD—常压CVD,700-1000℃
LPCVD—低压CVD, 750℃,
对比
PECVD — 300-450 ℃,
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PECVD的特点
PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化(450℃)。因此带来的好处:
节省能源,降低成本
提高产能
减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减
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PECVD种类
PECVD的种类:
直接式—基片位于一个电极上,直接接触等离子体(低频放电10-500kHz或高频)
间接式—基片不接触激发电极(如微波激发等离子)
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PECVD种类
直接式的PECVD
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15
PECVD种类
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16
PECVD种类
间接式的PECVD
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PECVD种类
间接PECVD的特点:
在微波激发等离子的设备里,等离子产生在反应腔之外,然后由石英管导入反应腔中。在这种设备里微波只激发NH3,而SiH4直接进入反应腔。
间接PECVD的沉积速率比直接的要高很多,这对大规模生产尤其重要。
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光学参数
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19
光学参数
厚度的均匀性(nominal 约70 nm)
同一硅片
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