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第三节 只读存储器（ROM） * 第29页，共71页，编辑于2022年，星期三 一、掩膜ROM ● ROM（Read Only Memory ）的特点与种类 ROM的信息在使用时是不被改变的，即只能读出，不能写 入，写入是有条件的。故一般只能存放固定程序和常量，如监 控程序、BIOS程序等。ROM芯片的种类很多，有掩膜ROM、 可编程ROM（PROM）、可擦除可编程ROM（EPROM）、 电可擦除可编程ROM（EEPROM）等。 下面分别予以介绍。 1、掩膜ROM 掩膜ROM是厂家根据用户的要求采用掩膜技术把程序和数 据在制作集成电路时就已写入完成。一旦制造完毕，存储器的 内容就被固定下来，用户不能修改。若要修改，就只能重新设 计掩膜。 * 第30页，共71页，编辑于2022年，星期三 一、掩膜ROM（续） 下图为一个简单的4?4位 MOS管ROM，采用单译 码结构，两位地址可译出 4种状态，输出4条选择 线，可分别选中4个单元 每个单元有4位输出。 若A1A0=00, 则选中0号 单元，输出为1010B. 图中的矩阵中，在行列的 交点，有的有管子，输出 为0，有的没有，输出为 1，这是根据用户提供的 程序对芯片图形（掩膜） 进行二次光刻所决定的。 * 第31页，共71页，编辑于2022年，星期三 二、可编程ROM（PROM） 为了便于用户根据自己的需要确定ROM的内容，有一种可一 次编程的ROM，简称PROM。 这种芯片的内部是采用多发射极（8个）熔丝式PROM结 构。每一个发射极通过一个熔丝与位线相连，管子工作于射极 输出器状态。熔丝一旦烧断，不可逆转，所以只能一次编程写 入。 下图为这种PROM芯片的内部结构。 * 第32页，共71页，编辑于2022年，星期三 二、可编程ROM（PROM）（续） * 第33页，共71页，编辑于2022年，星期三 三、UV-EPROM UV-EPROM为可擦除可编程 的ROM 内部电路结构如图，工作原理 如下： 因为悬浮栅T3不导通， 当X=1时，T1不导通， 而T2总导通， 该电路为全1输出。 当写入时，加12.5V~25V高压， D, S被瞬时击穿，会有电子 通过绝缘层注入悬浮栅。 电压去掉后，电子无处 泄漏，硅栅为负，形成导电 沟道（P），从而使EPROM 单元导通，输出为0， 没有击穿的单元输出仍为1。 * 第34页，共71页，编辑于2022年，星期三 三、UV-EPROM（续） UV-EPROM擦除： 当紫外线照射时，悬浮栅上的电荷会形成光电流 泄漏掉 ，即可把信息擦除。输出仍为全1。 （用紫外线照射芯片的石英窗口约10多分钟即可） * 第35页，共71页，编辑于2022年，星期三 三、UV-EPROM（续） 介绍EPROM芯片27C040（512k ? 8） 27C040的引脚信号如图。 A0~A18 OE CE/PGM VPP D7~D0 27C040 512k ? 8 A0~A18 地址线 D0~D7 数据线 OE 输出允许（读） CE/PGM 片选/编程脉冲；在读出操作 时是片选信号；在编程时是编程脉冲输 入端（加入一个50ms左右的TTL负脉 冲 ）。 VPP 编程电压，12.5V;正常时，VPP接 VCC （+5V） * 第36页，共71页，编辑于2022年，星期三 四、E2PROM E2PROM（电擦除PROM，又称EEPROM或E2PROM: Electrically Erasable PROM） 工作原理：是在绝缘栅MOS管的浮栅附近再增加一个栅极 （控制栅）。给控制栅加一正电压，就可在浮栅和漏极之间形 成厚度不足200?（埃）的隧道氧化物。利用隧道效应，电子可 注入浮栅 ，即数据被编程写入。若给控制栅加一负压，浮栅上 的电荷可泄漏掉，即信息被擦除。 （目前高压源已集成在芯片内而使用单一的+5V电源） 下面介绍E2PROAM芯片28256（32k?8位） * 第37页，共71页，编辑于2022年，星期三 四、E2PROM（续） EEPROM 28256引脚信号 （32KByte） A0~A14 D0~D7 CE OE WE E2PROM 28256 32k ? 8 A0~A14 地址线 D0~D7 数据线 CE 片选 OE