薄膜材料物理-第三章金属薄膜的导电.pptVIP

第五讲 第三章 金属薄膜的导电 第四讲 第二章 薄膜的力学性质 第三章 金属薄膜的导电 第五讲 电阻来源：晶格振动→声子散射；杂质→杂质散射； 缺陷→缺陷散射； 晶界→晶界散射。 薄膜特点：连续膜→表面散射； 网状膜→细丝周界散射，接触散射； 岛状膜→电子隧道 。 由此可见，电阻的物理根源多于块状。 薄膜的成膜过程：岛状薄膜→网状薄膜→连续薄膜 §3.1 岛状薄膜的电阻 电阻规律：①电阻率比连续膜大几个数量级； ②电阻温度系数为负； ③低场强下，服从欧姆定律（V-A）; 高场强下，非线性关系（V-A关系）。 有关岛状薄膜的电导理论有： ★热电子发射理论； ★肖特基发射理论； ★活化隧道理论； ★允许态间隧道理论； ★经基片和陷阱的隧道理论。 3.1.1 热电子发射理论 物理模型：金属岛中电子随温度增加，其动能增加。当其动能大于逸出功时，电子便逸出金属表面，E外→定向流动。 计算单位时间内逸出金属单位表面的电子数。 由固体物理学得知，在金属单位体积内，微分能量元dE中的电子能态数为： 3.1.2 肖特基发射理论 引入镜像力和外加电场的影响，修正上述中的Ф势垒