InAsGaSb超晶格长波红外探测器暗电流特性分析.docx

0.?? 引　言 InAs/GaSb二类超晶格的概念由Sakaki和Esaki在1977年提出[1]，此后，Smith和Maihiot在1987年又提出了将InAs/GaSb二类超晶格用于红外探测的设想[2]。InAs/GaSb超晶格由于其理论性能上的优势[3]，使其成为第三代红外探测器的重点关注的材料。利用InAs/GaSb超晶格材料制备红外探测器设想主要是基于其特殊能带排列形式，即InAs的导带底要低于GaSb的价带顶。这种能带排列方式使得电子和空穴分别被限制在InAs层和GaSb层中，不同InAs层中的电子波函数相互交叠，形成电子微带，不同GaSb层中的空穴波函数相互交叠，形成空穴微带。