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0.?? 引 言
红外焦平面阵列探测器(Infrared Focal Plane Arrays Detector,IRFPAs)具有灵敏度高、环境适应性好、抗干扰能力强、质量轻、功耗低等优点,被广泛应用于航空航天、红外遥感、国防、气象、环境、医学及通信领域[1-4]。在中波红外探测领域,锑化铟(InSb)IRFPAs因具有材料均匀性好、时间稳定度高的优点,备受科研人员的关注。批量生产中,液氮冲击下InSb IRFPAs经常出现的局部分层、局部碎裂等失效现象已成为制约其成品率提升的瓶颈,因此探究InSb IRFPAs局部分层失效机理成为目前迫切需要解决的问题。
针对InSb IRFPAs的局部分
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