丽水激光器芯片项目建议书.docx

泓域咨询/丽水激光器芯片项目建议书 报告说明 外延环节对设计及生产工艺的要求高，是当前国内厂商与海外头部厂商的主要差距所在。经验积累包括生产过程的良率爬坡都需要较长时间，因而先发优势明显，是厂商竞争优势及技术实力的核心体现，1）从工艺角度：需对材料厚度、比例、电学掺杂、缺线控制等参数进行精确控制。以25GDFB芯片为例，有源层包含了20~30层的量子阱结构，每层量子阱的厚度在4~10nm不等，工艺上要求对每层量子阱实现埃米级（0.1nm）控制，厚度精度误差小于0.2nm。除了厚度外，每层量子阱的材料比例误差也会造成量子阱发光波长误差、量子阱各层间的应力误差均会影响产品最终的性能与可靠性；2）从