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CIGS优点;CIGS的结构;物理性质;CIGS的性质;　　迁移率：薄膜高于块状　单晶高于多晶 　　空穴为15-200cm2/Vs 　　电子为90-900cm2/Vs 　　介电常数：低温下13.6±2.4 　　高温下 　　电子的有效质量为电子质量 　　重空穴为电子质量 　　轻空穴为电子质量;　　CIGS中的缺陷主要有：空位　取代原子　晶粒间界等　;表面和晶相;电池组件结构;　　工作时大部分吸收层为p型，最上层吸收层和以上各层为n型，带图如下;基底;阻挡层　;背电极　;吸收层沉积方法;第一缓冲层　;　　无镉缓冲层：欧洲法律规定所有???器必须无镉，暂不包括光伏装备 　　无镉缓冲层一般为锌和铟的硫属元素化物，制造方法和硫化镉相似 　　主要问题：效率不够高　光照下 产生亚稳态;第二缓冲层　;透明电极层;划线;第19页/共34页;生产线;第21页/共34页;生产成本;环境考虑;发展方向;新器件结构：无缓冲层　双面电池　多层电池 多层电池结构：宽隙在上，窄隙在下 初期低成本：非真空过程　;效率估计;第27页/共34页;光生电流影响短路电流;不完全吸收　CIGS薄于～1.0 μm时　会透过部分长波 光生载流子不完全收集 不同原因电流损失量(mA/cm2) ;第30页/共34页;复合损失影响开路电压;电阻损失影响填充因子;钠效应;感谢您的观看！