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半导体导电特性与基本知识;; 本征半导体;本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;;2.本征半导体的导电机理; 杂质半导体--N 型半导体和P 型半导体;;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;;;;;一、PN 结正向偏置;二、PN 结反向偏置;内电场; 半导体二极管; 14.2.2 伏安特性;14.2.3 主要参数;1. 静态电阻RD与动态（微变)电阻 rd;?id;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;按电路图，求VY 。;uo;如图所示，E=1V， R=2k?，UD，;电源变压器: 将交流电网电压u1变为合适的交流电压u2。;整流电路的任务：把交流电压转变为直流脉动的电压。;单相半波整流电压波形;单相半波整流电压波形;;;桥式整流电路; 二极管最大反向电压：;;滤波电路的结构特点: 电容与负载 RL 并联，或电感与负载RL串联。;14.4.1 电容滤波电路;uo;u2;u2;(b) 流过二极管瞬时电流很大;a;14.4.2 电感滤波;改善滤波特性的方法： ;.3 L-C 型滤波电路;.4 LC –? 型滤波电路;uo;;（4）稳定电流IZ、最大、最小稳定电流Izmax、Izmin。;;负载电阻 。;NPN型三极管;发射结;14.5.2 电流分配和放大原理;;;IB=IBE-ICBO?IBE; ICE与IBE之比称为电流放大倍数：; 特性曲线;一、输入特性曲线;二、输出特性曲线;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;例1;例：;前面的电路中，三极管的发射极是输入输出的公共点，称为共射接法，相应地还有共基、共集接法。;2.集-基极反向截止电流ICBO;;4.集电极最大允许电流 ICM;6. 集电极最大允许功耗 PCM;;14.6.1 绝缘栅场效应管:;MOS管以N 沟道增强型的工作原理;;;;增强型N沟道MOS管的特性曲线;;N 沟道耗尽型;P 沟道耗尽型;耗尽型N沟道MOS管的特性曲线
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