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7.2.1真空蒸镀 真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在工件或基片表面析出的过程。真空蒸镀设备主要包括真空系统、蒸发系统、基片撑架、挡板和监视系统。 7.2.2溅射成膜 溅射是指利用荷能粒子（如正离子）轰击靶材，使靶材表面原子或原子团逸出的现象。逸出的原子在工件表面形成与靶材表面成分相同的表面，这种制备薄膜的方法称为溅射成膜。 7.2薄膜材料的制备技术 第1页/共14页 7.2.3化学气相沉积（CVD） 当形成的薄膜除了从原材料获得组成元素外，还在基片表面与其他组分发生化学反应，获得与原组分不同的薄膜材料，这种存在化学反应的气相沉积称为化学气相沉积（CVD）。采用CVD法制备薄膜是近年来半导体、大规模集成电路中应用比较成功的一种工艺方法，可以用于生长硅、砷化镓材料、金属薄膜、薄膜绝缘层和硬化层。 7.2薄膜材料的制备技术 第2页/共14页 7.2.4分子束外延 分子束外延（MBE）已有二十多年的研究历史。外延成膜过程在超高真空中实现束源流的原位单原子层外延生长，分子束由加热束源得到。该方法有以下技术特点：①可以原位生长与靶材成分相同的化学计量比的薄膜，②可以实时原位精确地控制原子层尺度的外延膜生长，适合于进行薄膜生长的人工设计和剪裁，从而有利于发展功能性的多层膜、结型膜和超晶格。③由于激光羽辉的方向性好、污染小、便于清洗处理，更适合于在同一台设备