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半导体导电特性 输出 回路 RC VCC iB IE RB + uBE ? +uCE ? VBB C E B iC + ? + ? + ? 2、输出特性曲线 反映输出回路电压和电流关系。即：设IB 为定值， IC 与VCE之间的关系。 半导体导电特性 2 4 6 8 1 2 3 4 iC/mA VCE/V 0 20μA 40 60 80 100 IB=0 ICEO 饱和区 截止区 △iC △iB 放大区 Q 输出特性曲线 半导体导电特性 2 4 6 8 1 2 3 4 iC/mA VCE/V 0 20μA 40 60 80 100 IB=0 ICEO 饱和区 截止区 △iC △iB 放大区 Q 输出特性曲线 半导体导电特性 饱和区的特点： 发射结和集电结均正偏，相当于开关的闭合，如同短路。晶体管失去放大能力。 UCE?UBE ; UCE 临界饱和： 深度饱和： U CE（SAT）= 0.1 V (锗管) uCE = uBE U CE（SAT）= 0.3 V (硅管) 返回 2 4 6 8 1 2 3 4 iC/mA VCE/V 0 20μA 40 60 80 100 IB=0 饱和区 半导体导电特性 放大区的特点： 发射结正偏，集电结反偏，晶体管具有恒流特性。此区域内： IC=? IB , 且 ?=△IC /△IB 具有电流放大作用。 2 4 6 8 1 2 3 4 iC/mA VCE/V 0 20μA 40 60 80 100 IB=0 放大区 返回 半导体导电特性 截止区的特点： 集电结和发射结均反偏，相当于开关的断开状态，此区域无电流放大能力。UBE 死区电压， IB=0 ， IC=ICEO ?0 2 4 6 8 1 2 3 4 iC/mA VCE/V 0 20μA 40 60 80 100 IB=0 ICEO 截止区 半导体导电特性 半导体导电特性 [知识目标] 1、了解三极管的结构，并掌握电流的分配关系和放大原理； 2、掌握三极管的输入和输出特性，理解其含义，了解主要参数； 教学要求 半导体导电特性 [技能目标] 会查阅手册，能按要求选用、测量和检测三极管； 掌握基本放大电路的焊接，会用万用表测量三极管静态工作点，并由此判断工作状态； 会熟练使用示波器观察三极管放大电路的波形，测量电压，并计算电压放大倍数。 会用估算法计算三极管的静态工作点 半导体导电特性 [教学重点] 1、晶体三极管的结构； 2、电流的分配和放大作用； 3、三极管的工作状态分析。 [教学难点] 晶体三极管的状态分析，伏安特性曲线。 [课时] 4课时 半导体导电特性 三极管的基本结构 三极管的电流放大作用 三极管管脚与管型的判别 三极管特性曲线 三极管手册使用 [主要内容]： 半导体导电特性 复习二极管 构成： PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 P N 正极 负极 管壳 符号： V 半导体导电特性 二极管的测试 正向电阻小,处导通状态 反向电阻大,处截止状态 半导体导电特性 第一节 晶体三极管 晶体三极管是重要的一种半导体器件。广泛应用于各种电子电路中。 一、基本结构 1、外形 塑料封装 金属封装小功率管 金属封装大功率管 半导体导电特性 N N P 集电结 发射结 集电区 基区 C集电极 b基极 N P P 集电结 发射结 c b e b e c 2、结构与符号 三极管的是由两个互相联系的PN结组成，两个PN结的组合方式不同，可分为NPN型和PNP型。 发射区 基区 集电区 V V 发射区 e发射极 c b e 半导体导电特性 管芯结构剖面图 结构特点: 发射区掺杂浓度高 基区薄且掺杂浓度低 集电区面积大 通过实验找找答案 问:二极管具有单向导电性,三极管有何特性? 半导体导电特性 [实训目的] 1、练习根据电路图，选择元件并焊接电路。 2、学会分析实验数据。 3、通过实训掌握三极管的主要特性。 4、了解三极管的三种工作状态。 ? 实训三、三极管放大电路的安装与测试 半导体导电特性 [实训器材] 1、直流稳压电源 1台 2、万用表 1架 3、三极管9013、9012各1个，电位器1个，电阻若干，万能电路板1块。 4、焊接工具一套 [实训要求] 1、检查实验仪器设备和元器件，并填写实验记录。 2、每位同学独立焊接一块电路板。（5分） 3、以小组为单位（三人一组），测试一组数据。（5分）。 半导体导电特性 ＲＰ ２００ＫΩ ＲＢ ２ＫΩ ＲＣ １００Ω b c e [实训