常用传感器基本原理与应用.pptVIP

常用传感器基本原理与应用;一、温度传感器;1、热电阻传感器;（1）铂电阻;铜电阻输出阻值与温度之间的关系为 0℃-100℃，Rt=R0（1+αt） R0，Rt—分别为0℃和t℃的电阻值 α—铜电阻温度系数（4.25×10-3- 4.28×10-3/℃) R0分别为5０Ω和１００ Ω。; 半导体热敏电阻是利用某些半导体材料的电阻值随温度变化的特性。 按物理特性，可分为三类： （１）负温度系数的热敏电阻（ＮＴＣ）多用于温度测量和补偿； （２）正温度系数的热敏电阻（ＰＴＣ）用于恒温、加热控制或温度开关； （３）临界温度系数的热敏电阻（ＣＴＲ）用于温度开关。; 负温度系数热敏电阻广泛应用。它是一种氧化物的复合烧结体，一般测量－１００~＋３００℃范围内的温度。;2、ＰＮ结温度传感器;半导体ＰＮ结特性测温原理 ＰＮ结的反向电流随温度呈指数规律变化，硅二极管的电流方程为;二极管温度传感器;3、集成温度传感器;AD590 （电流型）;常用传感器基本原理与应用;常用传感器基本原理与应用;二、光电传感器;光谱分布如图所示; 光电效应是指物体吸收了光能后转换为该物体中某些电子的能量，从而产生的电效应。光电传感器的工作原理基于光电效应。光电效应分为外光电效应和内光电效应两大类。 ; 当光照射在物体上，使物体的电阻率ρ发生变化，或产生光生电动势的现象叫做内光电效应，它多发生于半导体内。根据工作原理的不同，内光电效应分为光电导效应和光生伏特效应两类： A. 光电导效应 在光线作用，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电导率的变化，这种现象被称为光电导效应。基于这种效应的光电器件有光敏电阻。;; 材料的光导性能决定于禁带宽度，对于一种光电导材料，总存在一个照射光波长限λ0，只有波长小于λ0的光照射在光电导体上，才能产生电子能级间的跃进，从而使光电导体的电导率增加。; B. 光生伏特效应 在光线作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象叫做光生伏特效应。 基于该效应的光电器件有光电池和光敏二极管、光敏三极管。 ①势垒效应（结光电效应）。 接触的半导体和PN结中，当光线照射其接触区域时，便引起光电动势，这就是结光电效应。以PN结为例，光线照射PN结时，设光子能量大于禁带宽度Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，被光激发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而使P区带正电，N区带负电，形成光电动势。 ;②侧向光电效应。 当半导体光电器件受光照不均匀时，有载流子浓度梯度将会产生侧向光电效应。当光照部分吸收入射光子的能量产生电子空穴对时，光照部分载流子浓度比未受光照部分的载流子浓度大，就出现了载流子浓度梯度，因而载流子就要扩散。如果电子迁移率比空穴大，那么空穴的扩散不明显，则电子向未被光照部分扩散，就造成光照射的部分带正电，未被光照射部分带负电，光照部分与未被光照部分产生光电动势。基于该效应的光电器件如半导体光电位置敏感器件（PSD）。;2、光敏电阻;;（2）光敏电阻器的种类 光敏电阻器可以根据光敏电阻器的制作材料和光谱特性来分类。 按光敏电阻器的制作材料分类 光敏电阻器按其制作材料的不同可分为多晶光敏电阻器和单晶光敏电阻器， 还可分为硫化镉(CdS)光敏电阻器、 硒化镉(CdSe)光敏电阻器、 硫化铅(PbS)光敏电阻器、 硒化铅(PbSe) 光敏电阻器、 锑化铟(InSb) 光敏电阻器等多种。;常用传感器基本原理与应用;按光谱特性分类： 光敏电阻器按其光谱特性可分为: 可见光光敏电阻器 紫外光光敏电阻器 红外光光敏电阻器。 可见光光敏电阻器主要用于各种光电自动控制系统、电子照相机和光报警器等电子产品中。 紫外光光敏电阻器主要用于紫外线探测仪器。 红外光光敏电阻器主要用于天文、军事等领域的有关自动控制系统中。 ;（3）光敏电阻器的主要参数 1．亮电阻 （RL）是指光敏电阻器受到光照射时的电阻值。 2．暗电阻 （RD）是指光敏电阻器在无光照射（黑暗环境）时的电阻值。 3．最高工作电压 （VM）是指光敏电阻器在额定功率下所允许承受的最高电压。 4．亮电流 （IL）是指在光照射时，光敏电阻器在规定的外加电压受到光照时所通过的电流。