半导体材料外延生长.pptVIP

ALE生长方式的主要缺点是生长速率慢，循环时间长。 有很多人采用很多办法来降低循环时间，提高生长速度，比如进行光照，但比起目前通常的外延方式，尤其是与MOCVD 比起来，其生长速度是非常慢的。 第61页，共123页，编辑于2022年，星期二 电化学原子层外延(ECALE)技术 基本原理与特点 电化学原子层外延(ECALE)是电化学沉积和原子层外延技术的结合，化合物组分元素的原子层在欠电位条件下进行循环交替沉积，从而直接生成化合物。该方法最先由Stickney提出，其基本流程如下图： 第62页，共123页，编辑于2022年，星期二 溶液池 流通池 恒电位仪 第63页，共123页，编辑于2022年，星期二 ECALE的表面限制反应是欠电位沉积(UPD)。欠电位沉积是指一种元素可在比其热力学可逆电位正的电位下沉积在另一种物质上的现象。这是由于沉积原子以某种方式与衬底发生作用，以致与衬底直接接触的那一层原子的沉积电位出现在自身元素上沉积所需电位之前。 理论上，在UPD电位下，在沉积了一层① 原子的衬底上沉积一层②原子，如图2(左)所示。 第64页，共123页，编辑于2022年，星期二 化学原子层外延(ECALE)技术的基本原理原子层外延生长的原理是利用表面限制反应逐次地形成沉积物的原子层，由一个个原子层相继交替沉积而形成的薄膜将成为外延的二维生长。如果将表面限制反应推广到化合物中不同元素的单原子层沉积，并让各元素单原子层的相继交替沉积组成一个循环，则每个循环的结果是生成一个化合物单层，而沉积层的厚度由循环次数决定。 第65页，共123页，编辑于2022年，星期二 电化学原子层外延(DCALE)通过对欠电位沉积和原子层外延技术的结合，融合了二者的优点，具体如下： (1)一般使用无机水溶液，避免了碳污染。 (2)工艺设备投资较小，降低了制备技术的成本。 (3)可以沉积在设定面积或形状复杂的衬底上。 (4) 不需要使用有毒气源，对环境不造成污染。 (5)它是一层接一层的生长，避免了三维沉积的发生，实现了原子水平上的控制。 (6)它将化合物的沉积拆分为各组分元素原子沉积的连续步骤，而各个步骤可以独立地加以控制，因此膜的质量、重复性、均匀性、厚度和化学计量可精确控制，同时能够获得更多的机理信息。 (7)室温沉积，使互扩散降至最小。同时避免了由于热膨胀系数的不同而产生的内应力，保证了膜的质量。 (8)每种溶液可以分别地进行配方的优化，使得支持电解质、pH值、添加剂或络合剂的选择能够最大程度地满足需要。 (9)反应物选择范围广，对反应物没有特殊要求，只要是含有该元素的可溶物都可以，且一般在较低浓度下就能够成功制备出超晶格。 第66页，共123页，编辑于2022年，星期二 ECALE技术由于在薄膜材料制备中有其独特的优势，已经引起国外很多材料制备专家的重视，然而国内这方面的研究还很少。目前，已有很多采用ECALE方法制备半导体薄膜及超晶格的报道，主要集中在II-VI族III-V 族、和V一Ⅵ族。 第67页，共123页，编辑于2022年，星期二 VCR接头 VCR接头是为要求高度纯净无垢环境的应用按照无渗漏而设计的。VCR产品设计在正压真空空间内提供全金属封装的无渗漏服务。 ? 第68页，共123页，编辑于2022年，星期二 MOVPE法生长GaN GaN的熔点约为2800℃，在这个温度下氮的蒸气压可达4.5×109Pa．即使在1200～1500℃温度范围内生长，氮的压力仍然为1.5×109pa，并且N在Ga中的溶解度低于1％，因此，很难生长体单晶。 由于得不到GaN衬底材料，所以GaN只能进行异质外延生长。目前作为实用的衬底材料的有SiC、蓝宝石等，也在寻找新的衬底材料，如ZnO、Si、GaAs及某些锂盐等。现在用于生长制备高亮度蓝色发光二极管所需GaN系材料的方法是MOVPE,， 第69页，共123页，编辑于2022年，星期二 原料：以蓝宝石(0001)为衬底，NH3和TMG为N和Ga源，H2为输运气体。 晶格失配：由于GaN和衬底之间的失配大到15.4％，为此先用MOVPE法，在550℃左右，在衬底上先生长一层20～25nm厚的GaN的缓冲层，然后升温至1030℃，接着生长GaN外延层。 第70页，共123页，编辑于2022年，星期二 晶格失配 在异质外延层和衬底或相邻的两个外延层之间，如果存在晶格常数的差异，称之为晶格失配。 晶格失配率： 其中：f为失配率(度)，a1和a2分别为外延层材料和衬底材料的晶格常数。 　　　　　　　　　　　　　　见课本P195 第71页，共123页，编辑于2022年，星期二 晶格失配的影响 晶格失配的存在，常给器件制做和性能带来不利的影响。 要想使两种晶格常数不同的材料在原子尺寸范