上饶掩膜版项目投资计划书.docx

泓域咨询/上饶掩膜版项目投资计划书  上饶掩膜版项目 投资计划书 xx集团有限公司  报告说明 根据Soitec数据，随着通信技术从3G向4G、5G升级过程中，单部智能手机SOI硅片需求面积亦随之增加，3G时为2mm2，4GLTE-A为20mm2，5Gsub-6GHz为52mm2，5Gsub-6GHzmmW为130mm2。在射频前端模组领域，在4G/5G（sub-6G）中，RF-SOI用于低噪声放大器、开关以及天线调谐器等，FD-SOI用于追踪器；在毫米波中，RF-SOI用于功放、低噪声放大器、开关以及移相器，FD-SOI可用于移相器、SoC等；而在WiFi和UWB中，RF-SOI用于功