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第2，9章电力电子器件
一．填空
1. 若晶闸管电流有效值是157A，则其额定电流为 。（不考虑晶闸
管的安全裕量 ）
2. 在型号KP10-3 中，数字10 表示 ，数字3 表示 。
3 ．当温度降低时，晶闸管的触发电流会 、正反向漏电流会 ；
当温度升高时，晶闸管的触发电流会 、正反向漏电流会 。
4. GTR 的安全工作区由 、 、
和 界定。
5 ．GTR 要想低损耗工作，应该工作在 区和 区。
6. 电力MOSFET 工作在 区和 区。
7. 下列器件中， 为电流驱动型可控器件、 为电压驱动型可控器件。
A. 晶闸管， B. IGBT ， C. GTR ， D. MOSFET 。
8. 下列器件中， 开关频率最高。
A. 晶闸管，B .IGBT ，C. GTR ，D. MOSFET 。
9. 晶闸管并联必须考虑 的问题，串联必须考虑 的问题。
10. 常用的过 电流保护措施有 、 、 、
（写出四种即可）
一.填空题答案
1. 答：若晶闸管电流允许有效值是157A，则其额定电流为 100A 。
（不考虑晶闸管的安全裕量）
2. 在型号 KP10-3 中，数字 10 表示 10A ，数字 3 表示
300V 。
3 ．当温度降低时，晶闸管的触发电流会 增大 、正反向漏电流会 减小 ；
当温度升高时，晶闸管的触发电流会 减小 、正反向漏电流会 增大 。
4. GTR 的安全工作区由 最高电压 U 、 集电极最大电流I 、最大耗散
ceM cM
功率P 和 二次击穿临界线 界定。
cM
5 ．GTR 要想低损耗工作，应该工作在 截止 区和 饱和 区。
6. 电力MOSFET 工作在___截止___ 区和__非饱和___ 区。
7. 下列器件中，AC 为电流驱动型可控器件、 BD 为电压驱动型可控器件。
A. 晶闸管， B. IGBT ， C. GTR ， D. MOSFET 。
8. 下列器件中， D 开关频率最高。
A. 晶闸管，B .IGBT ，C. GTR ，D. MOSFET 。
9. 晶闸管并联必须考虑_均流_ 的问题，串联必须考虑_ 均压_____ 的问题。
10. 常用的过电流保护措施有 快速熔断器 、 直流快速断路器、 过电流继电
器 、 电子保护电路 （写出四种即可）
二．简答
1. 晶闸管正常导通的条件是什么？导通后流过的电流由什么决定？晶闸管由导
通变为关断的条件是什么？如何实现？
2. 晶闸管的维持电流和擎住电流各是什么含义？两者的大小关系？
3 ．某一晶闸管，额定电压为 100V，额定电流为50A，维持电流为2mA，使用
在下图1 所示的各电路中是否合理？说明其理由。（不考虑电压、电流裕量）
VT
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