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泓域咨询/云南靶材项目建议书
报告说明
根据Soitec数据,随着通信技术从3G向4G、5G升级过程中,单部智能手机SOI硅片需求面积亦随之增加,3G时为2mm2,4GLTE-A为20mm2,5Gsub-6GHz为52mm2,5Gsub-6GHzmmW为130mm2。在射频前端模组领域,在4G/5G(sub-6G)中,RF-SOI用于低噪声放大器、开关以及天线调谐器等,FD-SOI用于追踪器;在毫米波中,RF-SOI用于功放、低噪声放大器、开关以及移相器,FD-SOI可用于移相器、SoC等;而在WiFi和UWB中,RF-SOI用于功放、低噪声放大器以及开关,FD-SOI用于移相器、SoC等。
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