2010模电中期考试_平行班答案简.pdfVIP

阅卷注意：简答题只要答到要点即给分；计算题只要方法、公式 无误，数值偏差不大则不扣分；其它情况酌情处理。 2010 年模拟电路中期 一、填空题（共 30 分，共 15 个空格，每个空格 2 分） 1、单向导电性 2、雪崩击穿， 击穿 3、NPN，集电，基 4、49，980μA 5、1KΩ 6、4.7，5.3 7、截止，-3 8、反向击穿，正向导通 二、（共15 分，每题 3 分） 1、C 2、B 3、B 4、C 5、A 三、 （共15 分，每题5 分） 1、答:只有一种载流子参与导电，所以场效应管称为单极性管 （2 分）。 它属于电压控制电流源器件（1 分）。和三极管相比其具有输入电阻 高的特点（2 分）。 2、答:因电容隔直作用，该电路中基极静态偏置电流为零，所以放大 电路处于截止状态，无法正确对交流信号进行放大作用。 （3 分） 更改电路：将 C1 去掉改为直接用导线连接。在信号电源外边加 上隔直电容（具体需在图上标出）（2 分） 3、答:图（a）晶体管为 PNP，因发射极正偏，集电极反偏（1 分）， 所以三极管工作在放大区（1 分）； 图（b）晶体管为 NPN，因发射极反偏，集电极反偏，所以三 极管工作在截止区（1 分）； 图（c）晶体管为 PNP，因发射极正偏，集电极偏置电压为零 （1 分），所以三极管工作在临界饱和区（1 分）。 四、(10 分) 解:(1) （1 分） （1 分） V V − I  R 12− 2  3 6 V CEQ CC CQ C （1 分） (2) （2 分） 根据交流小信号模型得出：