半导体物理_禁带宽度的测量.docxVIP

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2022-10-10 发布于江苏
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半导体物理_禁带宽度的测量.docx

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半导体物理论文 —— 半导体禁带宽度的测量方法姓名学号单位六院六队 PAGE PAGE 1 摘要禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，本文先介绍了禁带宽度的意义，它表示表示晶体中的公有化电子所不能具有的能量范围；表示表示价键束缚的强弱；表示电子与空穴的势能差；是一个标志导电性能好坏的重要参量，但是也不是绝对的等等。其测量方法有利用 Subnikov2de Hass 效应、带间磁反射或磁吸收、回旋共振和非共振吸收、载流子浓度谱、红外光吸收谱等等。其中本文介绍了二种常见的测量方法：利用霍尔效应进行测量和利用光电导法进行测量。一，引言：关于禁带