mosfet常见失效的机理讨论.pptxVIP

会计学;I. DVDS ;第2页/共27页;机理讨论1-最高结温的限制;机理2－应力裂纹 有学者利用计算机有限元模拟了器件的散热过程。;空气为热的不良导体 空洞的存在 热集中 局部温度升高 气体产生收缩和膨胀应力 应力集中 热集中 ;II short ;内因－芯片强度;引起应力集中的原因;III. 雪崩击穿;三极管的工作原理;三极管的输出特性曲线;在严峻的动态条件下，du/dt通过相应电容引起的横向电流有可能足够大。此时这个寄生的双极性晶体管就会起动，有可能给MOSFET 带来损坏。 ;第13页/共27页;二极管的工作原理;第15页/共27页;Avalanche multiplication;正常状态下的MOSFET特性;Mosfet的截止状态：Vgs=0, Vds0,P基区与N漂移区之间P-N结反偏，漏源（DS）之间无电流通过。 Mosfet的导通状态：Vgs0, 当VgsVth时P区反型，P-N结消失，漏源导通。 ;Id-Vds curve ;MOSFET 雪崩击穿的微观分析;MOSFET 雪崩击穿的微观分析－Cont’;Rdson ;Rg-distributed resistence of gate ;Rg测试的基本原理;; To be continued……