光电导探测器.pptxVIP

会计学;2．半导体的暗电导率 半导体的电导率定义　　 ;3．光辐射改变半导体的电导率;只有光子能量h?大于材料禁带宽度Eg 的入射光才能激发出电子空穴对，使材料产生光电导效应的现象;2）非本征光电导;4．光电导计算;5．光电导电流增益（G） 定义 ;6. 光电导弛豫过程 光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流是要经过一定时间的。同样光照停止后光电流也是逐渐消失的。这些现象称为弛豫过程或惰性。 对光电导体受矩形脉冲光照时，常有上升时间常数τr和下降时间常数τf来描述弛豫过程的长短。τr表示光生载流子浓度从零增长到稳态值63%时所需的时间，τf表示从停光前稳态值衰减到37%时所需的时间。;6. 光电导弛豫过程;7. 光电导的光谱分布; 利用具有光电导效应的材料（如硅、锗等本征半导体与杂质半导体，硫化镉、硒化镉、氧化铅等）可以制成电导随入射光度量变化器件，称为光电导器件或光敏电阻。根据半导体材料的分类，将光敏电阻分为两种类型—本征型半导体光敏电阻和掺杂型半导体光敏电阻。 ; 光敏电阻具有体积小，坚固耐用，价格低廉，光谱响应范围宽等优点。;三、光电导探测器的工作原理　;;1.光电导探测器的光电流;n型半导体光敏电阻自由电子的寿命τ0;光电导探测器内增益等于载流子平均寿命τ0与载流子在探测器两极间的渡越时间τd之比。;光敏电阻两端加电压（直流或交流）。无