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会计学 1 数字集成电路中文 2 导线 电路图 实际视图 第1页/共40页 3 互连线在芯片上的影响 第2页/共40页 4 电路的导线模型 较完整的电路模型 仅有电容参数的模型 第3页/共40页 5 互连线寄生效应的影响 互连线的寄生效应 额外噪声、降低可靠性 传播延时，影响电路的性能 影响功率和功耗 寄生参数的种类 电容 电阻 电感 第4页/共40页 6 寄生参数简化 导线电阻很大、信号上升下降很慢---电感的影响忽略 导线很短，截面很大或电阻率很低---只含电容模型 相邻导线间距大，导线间电容的影响忽略，寄生电容可模拟成接地电容 第5页/共40页 7 互连线的影响 Global Interconnect Source: Intel 第6页/共40页 8 互连参数 第7页/共40页 9 互连线的电容 第8页/共40页 10 电容: 平行板电容模型 第9页/共40页 11 边缘场电容 边缘电容 平板电容 第10页/共40页 12 平板电容与边缘电容 第11页/共40页 13 多层互连线电容耦合 第12页/共40页 14 互连线电容的影响 第13页/共40页 15 导线电容 (0.25 mm CMOS工艺) 第14页/共40页 16 互连参数 第15页/共40页 17 导线电阻 第16页/共40页 18 互连线电阻 率 第17页/共40页 19 电阻的处理 先进的工艺 使用更好的互连材料 降低平均线长 e.g. 铜, 硅化物 更多的互连层 可以降低平均线长 第18页/共40页 20 硅化物多晶栅的 MOSFET n + n + SiO 2 多晶硅 硅化物 p 硅化物: WSi 2, TiSi 2 , PtSi 2 and TaSi 导电性: 是多晶的8-10倍 第19页/共40页 21 薄层电阻（方块电阻） 第20页/共40页 22 现代的互连结构 第21页/共40页 23 互连参数 第22页/共40页 24 互连线模型 第23页/共40页 25 4.4 导线模型 理想导线 集总模型 lumped model 集总RC模型 分布rc线 四 导线 第24页/共40页 26 4.4.1 理想导线 导线是一个等势区 每一段上具有相同的电压 第25页/共40页 27 导线的电路寄生参数沿导线长度分布 只有一个寄生元件占支配地位 元件之间相互作用很小 只考虑电路特性的一个方面 将各个不同的寄生元件集总成单个电路元件 4.4.2 集总模型 优点：电路的寄生效应可以用常微分方程表示 第26页/共40页 28 4.4.2 集总模型 集总电容模型 第27页/共40页 29 例： 电源内阻为10kΩ的驱动器，驱动一条10cm长、1μm宽的Al1导线。导线总的集总电容等于11pF（例4.1已求出）。计算到达50%点的时间；从10%点过渡到90%点的时间 4.4.2 集总模型 集总电容模型 第28页/共40页 30 4.4.3 集总RC模型 RC模型：把每段导线的总导线电阻集总成一个电阻R，总导线电容集总成一个电容C； 对于长互连线是不精确模型，适合用分布rc线模型代替 第29页/共40页 31 4.4.3 集总RC模型 RC树电路： 电路只有一个输入节点 所有的电容都在某个节点和地之间 不包含任何电阻回路 第30页/共40页 32 4.4.3 集总RC模型 Rii = ∑Rj = (Rj ∈ path(s→i) ) ) 第31页/共40页 33 Elmore 延时模型 Elmore延时是估计RC树50%延时的有效方法 第32页/共40页 34 RC 链的Elmore延时 第33页/共40页 35 例：电阻-电容导线的时间常数 总长为L的导线被分割成完全相同的N段，每段长度L/N， 每段电阻和电容分别为rL/N和cL/N。 求导线的时间常数(Elmore延时) 第34页/共40页 36 4.4.4 分布rc线模型 第35页/共40页 37 图：RC线的阶跃响应与时间及位置的关系 第36页/共40页 38 RC模型 第37页/共40页 39 驱动RC线 第38页/共40页 40 rc 延时只是在 tpRC 近似或超过驱动门 tpgate时才会考虑 Lcrit  tpgate/0.38rc rc延时只是在导线输入信号的上升(下降)时间小于导线的上升(下降)时间RC时才会考虑 trise RC 不满足,信号的变化将比导线的传播延时满,集总电容模型即可 经验的设计规则 第39页/共40页