原创力文档CMP 工艺参数改进
kilcher 发表于: 2023-12-26 11:40 来源: 半导体技术天地
为 CMP 部门供给消耗品的供给商正在开发的方法，在维持研磨去除率不变的状况下，改善平坦度和缺陷率，同时降低本钱，来满足将来应用的要求。
对于任一个的技术节点，工艺窗口正日益减小，这对于过抛光的容忍度来说也不例外。不断缩小的关键尺寸〔CD〕以及随之而来的更薄的金属层厚度和更小的叠层高度，都不断提示着各个部门来重考量传统的化学机械抛光〔CMP〕所使用的化学试剂和工艺〔图1〕。在抛光过程中，用来保护硅片上有用图案的伪构造的尺寸和放置位置都在发生着变化，绝缘材料上铜线整体密度的变化对只有几十纳米
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