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RESURFRESURF全文共15页，当前为第1页。RESURF—降低表面电场（Reduced SURfsce Field）的技术，是在设计横向高压、低导通电阻器件中最为广泛使用的技术，运用这种技术可以做出20V-1200V的集成高压器件。RESURF技术实际上是采用在衬底表面先做一个轻掺杂的外延层，再在上面做器件。RESURF全文共15页，当前为第2页。RESURF基本结构组成：由一个横向的P+/n-epi二极管和一个纵向的n-epi/p-sub二极管组成RESURF全文共15页，当前为第3页。RESURF原理当n+端加一偏压，p +上端接零电位时，横向和纵向的二极管耗尽区如虚线区域所示：观察：横纵耗尽区的宽度分配。通常p-sub≤n-epip+RESURF全文共15页，当前为第4页。RESURF原理耗尽区与电场的关系示意图如下：根据单边突变结P+/n-epi先于n-epi/p-sub结达到临界电场Ec，致使器件不能承受大的压降而发生击穿，即击穿电压的提高受限于表面击穿。我们希望:纵向结最大电场先达到临界电场—优化降低表面电场的分布—外延层全部耗尽，见右图—RESURF条件：外延层单位面积杂质密度 ?RESURF全文共15页，当前为第5页。对于横向结：对于纵向结：令位于n-epi一侧的耗尽区厚度为Wepi??当达到临界电场强度时， —BV，则??要使外延层耗尽，须外延层，则?当衬