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半导体芯片知识科普 尺寸缩小有其物理限制 不过，制程并不能无限制的缩小，当我们将晶体管缩小到 20 奈米左右时，就会遇到量子物理中的问题，让晶体管有漏电的现象，抵销缩小 L 时获得的效益。作为改善方式，就是导入 FinFET(Tri-Gate)这个概念，如右上图。在 Intel 以前所做的解释中，可以知道藉由导入这个技术，能减少因物理现象所导致的漏电现象。 （Source：slideshare） 更重要的是，藉由这个方法可以增加 Gate 端和下层的接触面积。在传统的做法中(左上图)，接触面只有一个平面，但是采用 FinFET(Tri-Gate)这个技术后，接触面将变成立体， 可以轻易的增加接