晶体管开关特性.pptxVIP

会计学 1 晶体管开关特性 二、动态特性 1. 开通时间： 2. 关断时间： 普通开关：静态特性好，动态特性差 半导体开关：静态特性较差，动态特性好 几百万/秒 几千万/秒 第1页/共14页 2. 1. 2 半导体二极管的开关特性 一、静态特性 1. 外加正向电压(正偏) 二极管导通(相当于开关闭合) 2. 外加反向电压(反偏) 二极管截止(相当于开关断开) 硅二极管伏安特性 阴极 A 阳极 K PN结 第2页/共14页 二极管的开关作用： [例] uO = 0 V uO = 2.3 V 电路如图所示， 　　试判别二极管的工作 状态及输出电压。 二极管截止 二极管导通 [解] 第3页/共14页 二、动态特性 1. 二极管的电容效应 结电容 C j 扩散电容 C D 2. 二极管的开关时间 电容效应使二极管的通断需要一段延迟时间才能完成 (反向恢复时间) ton — 开通时间 toff — 关断时间 第4页/共14页 一、静态特性 NPN 2. 1. 3 半导体三极管的开关特性 发射结 集电结 b iB iC e c (电流控制型) 1. 结构、符号和输入、输出特性 (2) 符号 (Transistor) (1) 结构 第5页/共14页 (3) 输入特性 (4) 输出特性 放大区 截止区 饱 和 区 发射结正偏 放大 i C=  iB 集电结反偏 饱和 i C ＜  iB 两个结正偏 I CS=  IBS 临界 截止 iB ≈ 0, iC ≈ 0 两个结反偏 电流关系 状态 条 件 第6页/共14页 2. 开关应用举例 发射结反偏 T 截止 发射结正偏 T 导通 放大还是饱和？ 第7页/共14页 饱和导通条件： 因为 所以 第8页/共14页 二、动态特性 第9页/共14页 2. 1. 4 MOS 管的开关特性 (电压控制型) MOS（Mental – Oxide – Semiconductor） 金属 – 氧化物 – 半导体场效应管 一、 静态特性 1. 结构和特性： (1) N 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S 3V 4V 5V uGS = 6V 可 变 电 阻 区 恒流区 UTN iD 开启电压 UTN = 2 V 衬 底 漏极特性 转移特性 uDS = 6V 截止区 第10页/共14页 　　P 沟道增强型 MOS 管 与 N 沟道有对偶关系。 (2) P 沟道 栅极 G 漏极 D B 源极 S iD 衬 底 开启电压 UTP = - 2 V 参考方向 第11页/共14页 2. MOS管的开关作用： (1) N 沟道增强型 MOS 管 开启电压 UTN = 2 V 第12页/共14页 (2) P 沟道增强型 MOS 管 开启电压 UTP = - 2 V 第13页/共14页