模拟电子技术基础简明教程第双极型三极管剖析.pptxVIP

会计学 1 模拟电子技术基础简明教程第双极型三极管剖析 2 半导体三极管 晶体管 (transistor) 双极型三极管或简称三极管 制作材料： 分类 ： 它们通常是组成各种电子电路的核心器件。 双极结型三极管又称为 ： 硅或锗 NPN型 PNP型 下页 上页 首页 第1页/共17页 3 一、 三极管的结构 三个区 NPN型三极管的结构和符号 N P N 下页 上页 首页 第2页/共17页 4 发射极电流 二、三极管中载流子的运动和电流分配关系 发射: 发射区大量电子向基区发射。 2. 复合和扩散： 电子在基区中复合扩散。 3. 收集： 将扩散过来的电子收集到集电极。 同时形成反向饱和电流ICBO 。 IE IC IB ICN IEN IBN ICBO 集电极电流 基极电流 下页 上页 首页 动画 第3页/共17页 5 IC = ICn + ICBO IE = ICn + IBn 当ICBO IC时，可得 IEn = ICn + IBn IE = IEn IE = IC + IB 下页 上页 首页 第4页/共17页 6 IE = IC + IB 可得 当ICEO IC时，可得 ICEO =（ 1+ β ）ICBO IE = IC + IB IC ≈ βIB IE =（ 1+ β ）IB ICEO称为穿透电流。 下页 上页 首页 第5页/共17页 7 各参数含义： ：共基直流电流放大系数。 ：共射直流电流放大系数。 ：集电极与发射极间穿透电流。 ：共基交流电流放大系数。 ：共射交流电流放大系数。 α 和 β 满足 或 下页 上页 首页 第6页/共17页 8 三、三极管的特性曲线 1. 输入特性 uCE=0V uCE=2V 当uCE大于某一数值后，各条输入特性十分密集， 通常用uCE 1 时的一条输入特性来代表。 下页 上页 首页 第7页/共17页 9 2. 输出特性 iC=f(uCE) iB=常数 饱和区 放 大 区 截止区： iB ≤ 0的区域，iC ≈ 0 ， 发射结和集电结都反偏。 3. 饱和区： 发射结和集电结都正偏，uCE较小，iC 基本不随iB 而变化。 当uCE = uBE 时，为临界饱和；当uCE uBE 时过饱和。 截止区 下页 上页 首页 动画 2. 放大区： 发射结正偏，集电结反偏ΔiC = βΔiB 第8页/共17页 10 发射结反向偏置, 集电结反向偏置, 三极管工作在截止区, 可调换 VBB 极性。 发射结反向偏置, 三极管工作在截止区, 可调换 VCC 极性, 或将VT更换为PNP型。 两PN结均正偏,三极管工作在饱和区。 [例1.3.1] 判断图示各电路中三极管的工作状态。 下页 上页 首页 第9页/共17页 11 VBB = iB Rb + uBE iB iC iB = 46.5 μA β iB = 2.3 mA 假设三极管饱和， UCES = 0.3 V 则 ICS = VCC - UCES Rc = 4.85 mA β iB ICS 假设不成立， 三极管工作在放大区。 或者 iC = β iB = 2.3 mA uCE = VCC - iC Rc = 5.4 V 发射结正偏集电结反偏， 三极管工作在放大区。 下页 上页 首页 第10页/共17页 12 VBB = iB Rb + uBE iB iC iB = 465 μA β iB = 23 mA 假设三极管饱和， UCES = 0.3 V 则 ICS = VCC - UCES Rc = 4.85 mA β iB ICS 假设成立， 三极管工作在饱和区。 或者 iC = β iB = 23 mA uCE = VCC - iC Rc = -36 V 发射结正偏集电结正偏， 三极管工作在饱和区。 下页 上页 首页 第11页/共17页 13 四、 三极管的主要参数 2. 反向饱和电流 共基电流放大系数α 集电极和基极之间的反向饱和电流 ICBO 集电极和发射极之间的穿透电流 ICEO 两者满足 1. 电流放大系数 共射电流放大系数β 下页 上页 首页 第12页/共17页 14 3. 极限参数 a. 集电极最大允许电流 ICM 三极管的安全工作区 过流区 集射反向击穿电压U(BR)CEO 集基反向击穿电压U(BR)CBO iCuCE=PCM 过压区 安 全 工作区 ICM U(BR)CEO c. 极间反向击穿电压 b. 集电极最大允许耗散功率 PCM 下页 上页 首页 第13页/共17页 15 下页 上页 五、 PNP型三极管 PNP型三极管的放大原理与NPN型基本相同， 但外加电源的极性相反。 首页 第14页/共17页 16 在由PNP型三极管组成的放