数电--第六章--半导体存储器资料.pptxVIP

江西工程学院数字电子技术基础 电子工程与管理学院第6章 半导体存储器 6.1 概述 6.2只读存储器 6.3随机存储器只读存储器(ROM，即Read-Only Memory)随机存取存储器(RAM，即Random Access Memory) 6.1　概　述 一、半导体存储器的作用 存放二值数据二、半导体存储器的类型与特点 　RAM 既能读出信息又能写入信息。它用于存放需经常改变的信息，断电后其数据将丢失。常用于存放临时性数据或中间结果。　ROM 在工作时只能读出信息而不能写入信息。它用于存放固定不变的信息，断电后其数据不会丢失。常用于存放程序、常数、表格等。 　例如计算机中的自检程序、初始化程序便是固化在 ROM 中的。计算机接通电源后，首先运行它，对计算机硬件系统进行自检和初始化，自检通过后，装入操作系统，计算机才能正常工作。 例如 计算机内存就是 RAM 6.2　只读存储器主要要求： 了解 ROM 的类型和结构，理解其工作原理。 理解字、位、存储容量等概念。 了解集成 EPROM 的使用。 掩模 ROM 可编程 ROM(Programmable ROM，简称 PROM) 可擦除 PROM(Erasable PROM，简称 EPROM) 电可擦除 EPROM(Electrically EPROM，简称 E2PROM) 一、ROM 的类型及其特点 　其存储数据在制造时确定，用户不能改变。用于批量大的产品。 按数据写入方式不同分　其存储数据由用户写入。但只能写一次。 　写入的数据可用紫外线擦除，用户可以多次改写存储的数据。 　写入的数据可电擦除，用户可以多次改写存储的数据。使用方便。 二、ROM 的结构和工作原理 由存储距阵、地址译码器(和读出电路)组成 4 ? 4 二极管 ROM 的结构和工作原理动画演示 (一) 存储矩阵 由存储单元按字 (Word)和位(Bit)构成的距阵W3　交叉处的圆点 “ ”表示存储 “1”；交叉处无圆点表示存储 “0”。 W2字线W1W0D0D3D2D1位线4 ? 4 存储矩阵结构示意图 1. 存储矩阵的结构与工作原理 　字线与位线的交叉点即为存储单元。 W31　0　 1 　1　每个存储单元可以存储 1 位二进制数。 　当某字线被选中时，相应存储单元数据从位线 D3 ~ D0 输出。　请看演示 1　0　 1 　1　从位线输出的每组二进制代码称为一个字。一个字中含有的存储单元数称为字长，即字长 = 位数。 2. 存储容量及其表示2. 存储容量及其表示 一般用“字数 ? 字长(即位数)”表示指存储器中存储单元的数量 例如，一个 32 ? 8 的 ROM，表示它有 32 个字， 字长为 8 位，存储容量是 32 ? 8 = 256。 对于大容量的 ROM常用“K”表示“1024”，即 1 K = 1024 = 210 ；用“M”表示“1024 K”，即 1 M = 1024 K = 210 K = 220 。例如，一个 64 K ? 8 的 ROM，表示它有 64 K 个字， 字长为 8 位，存储容量是 64 K ? 8 = 512 K。 +VDD Wi Wi Wi VCC 1Dj Dj Dj 二极管 ROM TTL - ROM MOS - ROM 　接半导体管后成为储 1 单元；若不接半导体管，则为储 0 单元。3. 存储单元结构 3. 存储单元结构(1) 固定 ROM 的存储单元结构 +VDD 熔丝Wi Wi Wi 熔丝VCC 熔丝1Dj Dj Dj 二极管 ROM TTL - ROM MOS - ROM (2) PROM 的存储单元结构 　PROM 出厂时，全部熔丝都连通，存储单元的内容为全 1(或全 0) 。用户可借助编程工具将某些单元改写为 0 (或 1) ,这只要将需储 0(或 1)单元的熔丝烧断即可。 熔丝烧断后不可恢复，因此 PROM 只能一次编程。 (3) 可擦除 PROM 的存储单元结构 用一个特殊的浮栅 MOS 管替代熔丝。　EPROM 利用编程器写入数据，用紫外线擦除数据。其集成芯片上有一个石英窗口供紫外线擦除之用。芯片写入数据后，必须用不透光胶纸将石英窗口密封，以免破坏芯片内信息。　E2PROM 可以电擦除数据，并且能擦除与写入一次完成，性能更优越。 举例A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm地 址数 据A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110两个概念：存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”存储器的容量：“字数 x 位数”单译码编址方式双译码编址方式 (二) 地址译码器(二)地址译码器　从 ROM 中读出哪个字由地址码决定。地址译码器的作