光学曝光技术.pptVIP

掩膜版上用于Stepper对准的套刻标记 第二十九页，共五十页，2022年，8月28日 掩膜版上的参照标记 第三十页，共五十页，2022年，8月28日 掩膜版的制备 通常采用电子束直写的方式把高分辨率的图形转印到掩膜版表面。 电子源产生的电子被加速并聚焦成形射到投影掩膜版上。电子束可以通过光栅扫描或矢量扫描的方式在掩膜版上形成图形。 掩膜版上的电子束胶在曝光显影后，通过湿法或干法刻蚀去掉不需要的铬层。 第三十一页，共五十页，2022年，8月28日 CAD设计、模拟、验证后由图形发生器产生数字图形 数字图形 ×4或×5投影光刻版（reticle） 投影式光刻 ×1掩膜版（mask）制作 接触式、接近式光刻 掩膜版制作 第三十二页，共五十页，2022年，8月28日 掩模版制作过程：是一个微纳加工过程 12. Finished 第三十三页，共五十页，2022年，8月28日 掩膜版缺陷 掩膜版上的缺陷会被复制到光刻胶层中，从而进一步复制到硅片上。制造好的掩膜版要进行大量测试来检查缺陷和颗粒。 掩膜版缺陷的来源可能是掉铬，表面擦伤，静电放电或灰尘颗粒。 第三十四页，共五十页，2022年，8月28日 第二讲 光学曝光技术 光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术 东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室 第三十五页，共五十页，2022年，8月28日 关于光学曝光技术 第一页，共五十页，2022年，8月28日 光刻工艺的基本要素 光源(light sources) 曝光系统(exposure system) 光刻胶(photoresist) 能量(光源): 引起光刻胶化学反应，改变光刻胶溶解速率； 掩膜版(mask): 对光进行掩膜，在光刻胶上制造掩膜版的图形； 对准系统(Aligner): 在硅片上把掩膜版和以前的图形对准； 光刻胶(Resist): 把图形从掩膜版转移到硅片； 衬底(substrate)：具有以前的掩膜版图形。 第二页，共五十页，2022年，8月28日 光刻工艺的基本流程 第三页，共五十页，2022年，8月28日 第二章 光学曝光技术 光学曝光的工艺过程 光学曝光的方式和原理 光刻胶的特性 光学掩膜的设计与制造 短波长曝光技术 大数值孔径与浸没式曝光技术 光学曝光分辨率增强技术 光学曝光的计算机模拟技术 其它光学曝光技术 厚胶曝光技术 LIGA技术 东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室 第四页，共五十页，2022年，8月28日 （1）接触式光学曝光技术 东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室 优点：设备简单，分辨率高（约1 μm ）。 缺点：掩模寿命短（10 ~ 20次），硅片上图形缺陷多，光刻成品率低。 第五页，共五十页，2022年，8月28日 （2）接近式光学曝光技术 东南大学 · 南京 MEMS 教育部重点实验室 优点：掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。 缺点：衍射效应使分辨率下降。 第六页，共五十页，2022年，8月28日 （3）投影式光学曝光技术 投影式曝光的优点： 掩模寿命长。 可以在不十分平整的大晶片上获得高分辨率的图形。 掩模尺寸远大于芯片尺寸，使掩模制造简单，可减少掩模上的缺陷对芯片成品率的影响。 投影式曝光的缺点：设备复杂、昂贵， 曝光效率低。 步进式投影光刻 投影式光刻 第七页，共五十页，2022年，8月28日 光刻工艺的相关光学基础 光在空间中以电磁波的形式传播 当物体的尺寸远大于波长时，把光作为粒子来处理 当物体的尺寸和波长可比拟时，要考虑光的波动性－衍射 光的衍射效应 光的衍射影响分辨率，决定分辨率极限： 第八页，共五十页，2022年，8月28日 如果想在像平面(如光刻胶）对小孔进行成像，可以用透镜收集光并聚焦到像平面 第九页，共五十页，2022年，8月28日 数值孔径(Numerical Aperture NA) 光学系统的数值孔径描述透镜收集光的能力 n是透镜到硅片间介质的折射率， 对空气而言为1 分辨率 第十页，共五十页，2022年，8月28日 分辨率-Resolution K1是一个独立于光学成像的因子，取决于光刻系统和光刻胶的性质等其它因素 一般来说， 最小线宽 K1＝0.6~0.8 第十一页，共五十页，2022年，8月28日 然而