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第九章 薄膜淀积 9.1 薄膜淀积 所谓薄膜，是指在衬底上生长的薄的固体物质，其某一维的尺寸（通常是厚度）远远小于另外两维上的尺寸。 这些膜很薄，以致它们的电学和机械学特性完全不同于同种材料的更厚的膜。 在制造工艺中，多种不同类型的膜淀积到硅片上。在某些情况下，这些膜成为器件结构中的一个完整部分，另外一些膜则充当了工艺过程中的牺牲层，并且在后续的工艺中被去掉。 半导体制造中的薄膜淀积是指任何在硅片衬底上通过化学或者物理方法淀积一层膜的工艺。 这层膜可以是导体、绝缘物质或者半导体材料。 淀积膜的材质有二氧化硅（SiO2）、氮化硅（Si3N4）、多晶硅或金属，比如铜和难熔金属（如钨），以及金属化合物（如TiN）等。 这类薄膜在半导体制造工艺中广泛用于介质绝缘层，阻挡保护层，栅极，金属互连层，种子层，扩散阻挡层等。 淀积的氮化硅作为阻挡保护层 Si3N4 淀积刻蚀制备多晶硅栅 多晶硅栅 W Al SiO2 Ti 互连工艺中各类淀积的薄膜 9.1.2 薄膜特性 在硅片加工中可以接受的膜必须具备需要的膜特性。为了满足器件性能的要求，可以接受的膜一般应具有如下特性： 1）好的台阶覆盖能力 2）填充高的深宽