现代微机的存储系统PPT课件.pptx

现代微机的存储系统4.1 现代微机存储器系统概述4.1.1 半导体存储器技术1. 只读存储器ROM（Read Only Memory）ROM在正常工作的时候只能读出其中存放的数据，而不能改变其内容。因此ROM经常被用来存放哪些固定不变，无需修改的数据与程序 。ROM的最大特点是掉电以后，数据不会丢失，通电后可以继续使用。 ROM 将已定型的程序和数据固化在其中，之后就不再更改。PROM 称为可编程ROM。允许用户向其中写入一次数据或程序，之后其中的数据就不可再更改。EPROM 称为可擦除的PROM。其中的数据可以通过紫外线照射而被擦除，之后可以再次写入新的数据。EEPROM 称为电可擦除可编程ROM（又写为E2PROM）。其擦除和改写无需紫外线，只需特定的电信号即可。这种存储器的存取速度较慢。Flash Memory 称为闪烁存储器（闪存）。也是电可擦除和更改型的ROM存储器，采用块擦除阵列结构，具有存储容量大、读取速度快、信息非易失、功耗低、可在线读写，抗干扰能力强、掉电信息不丢失等特点，目前被广泛应用。2. 随机存取存储器RAM(Random Access Memory)在正常工作时就能随时对其数据进行读写操作的存储器，其对数据的修改是在正常工作状态，而无需特别的写入环境。RAM的读写速度一般都比ROM快，而且存取任一单元所需的时间相同。RAM在掉电的时候会将其存储的数据丢失。 SRAM 称为静态RAM（static RAM）。只要电源不掉电，内部存放的数据就不会丢失。SRAM的最大特点就是速度快。DRAM 称为动态RAM（dynamic RAM）。它用MOS管的栅极对其衬底间的分部电容来保存信息。需要定期刷新。DRAM的最大特点就是集成度高。NVRAM 称为非易失RAM（Non Volatile RAM）。它是SRAM和EEPROM的共同体，正常工作时是SRAM存储数据，一旦掉电，就会自动的将数据转存到EEPROM中，重新上电后，数据又会自动的从EEPROM恢复到SRAM中。常用的DRAM类型 SDRAM（Synchronous DRAM, 同步动态随机存储器）。将RAM与CPU以相同的时钟频率进行控制，彻底取消等待时间。DDR SDRAM（Double Data Rate SDRAM，双倍速率 SDRAM）。 DDR SDRAM能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此一个时钟周期内可传输两次数据。DDR2 SDRAM。DDR2拥有两倍于DDR的预读取能力（4bit数据读预取）。即DDR2每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。4.1.2 内存的主要性能指标（1）存储容量 内存所能容纳的二进制的总位数，一个有K位地址线，L位数据线的存储芯片所拥有的容量为2K×L位。（2）存取速度 指从内存单元将数据读到存储数据寄存器或从存储数据寄存器将数据写到内存单元所需的时间，前者为读取时间，后者为写入时间。（3）可靠性 内存可靠性用平均无故障时间（MTBF）来衡量。也可以看作是两次故障之间的时间间隔。MTBF越长，可靠性越高。（4）性能/价格比 性能主要是指上面三项，对不同的用途，侧重点会有所不同。CPU内的寄存器L1 数据CacheL1 代码CacheL2 CacheL3 Cache内部存储器（内存）外存Cache外部存储器（外存）4.1.3 现代微机的存储结构 1MB0FFFFFH系统BIOS（上端）64KB0F0000H960KB0EFFFFH扩展系统BIOS（低端）64KB（16KB?4）0E0000H896KB0DFFFFH扩充区128KB（16 KB?8）0C0000H768KB传统视频区（SMM存储器）128KB0BFFFFH0A0000H640KB09FFFFHDOS区00000H4.2 现代微机的系统地址映射 4.2.1 传统地址范围（实地址模式）最大4GB0FFFFFFFFHFlash MemoryAPICPCI存储范围TOLUDIGD（1~64MB可选）TSEG（1MB/2MB/8MB可选）主存储区100000HISA Hole（可选）15MB0F0000H主存储区1MB10000H兼容DOS存储（传统地址范围）0H0MB4.2.2 主存储地址范围（1MB-TOLUD）4.2.3 PCI存储地址范围（TOLUD-4GB） 4.3 IA-32结构保护模式下的存储管理 4.3.1 保护模式下的段式存储管理 1. 段式管理的地址变换31(63) 045(77) 32(64) 逻辑地址段寄存器的15~2位偏移量段基址段描述符段表物理地址32(64)位线性地址D7