硅片腐蚀和抛光工艺的化学原理——半导体抛光资料文档.docxVIP

第 第 PAGE 1 页，共 2 页 在半导体材料硅的表面清洁处理，硅片机械加工后表面损伤层的去除、直接键合硅片的减薄、硅中缺陷的化学腐蚀等方面要用到硅的化学腐蚀过程。下面讨论硅片腐蚀工艺的化学原理和抛光工艺的化学原理。 一、硅片腐蚀工艺的化学原理 硅表面的化学腐蚀一般采用湿法腐蚀，硅表面腐蚀形成随机分布的微小原电池，腐蚀电流较大，一般超过 100A/cm2，但是出于对腐蚀液高纯度和减少可能金属离子污染的要求，目前主要使用氢氟酸（HF）,硝酸(HNO )混合的酸性腐蚀液，以及氢氧化钾(KOH)或氢氧化钠 3 （NaOH）等碱性腐蚀液。现在主要用的是HNO -HF 腐蚀液和NaOH 腐蚀液。