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3 MESFET晶体管中缺陷对电学性能的影响研究 摘要 砷化镓金属半导体场效应管英文名称为GaAs MESFET， 金属半导体场效应管是通过肖特基势垒栅极构成的微波 功率的场效应晶体管。因为砷化镓基MESFET具有高迁移率、高跨导、低噪音等良好品质，在高频和微波方向有着良 好的发展前景。 基本的工作原理是在夹断条件下，漏电流有非常微小的下降因此，晶体管可以用作电压控制的开关 。微波器件最常用的品质因数是增益带宽、最高振荡频率和截止频率。 主要的使用范围在微波低噪音放大，超快速 数字集成电路，超快速静态随机处理器等。其主要特点是非常高的截至频率，非常快的工作速度，短沟道效应较 好，噪声