碳化硅栅氧界面态测定—非接触式电容电压法.pdfVIP

T/IAWBS XXX—XXXX 碳化硅栅氧界面态测定—非接触电容电压法 1 范围 本文件规定了非接触电容电压法测试碳化硅栅氧界面态的方法。 10 -2 -1 13 本文件适用于碳化硅栅氧界面态密度的测试，测试范围为1×10 cm .eV ～1×10 -2 -1 cm .eV 。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期 的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 （包括 所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 14264 半导体材料术语 3 术语和定义 GB/T 14264 确立的术语和定义适用于本标准。 3.1 -2 -1 界面态密度D ：单位能量单位面积的界面陷阱数目 （cm .eV ） it 3.2 F函数 （F(V , )）：描述表面势垒与表面电荷净值关系的空间电荷函数。 sb 4 原理 本标准的原理是利用电晕放电在碳化硅/氧化硅表面沉积一定量的电荷 （Qc），即相当 于施加不同栅压，使半导体的表面历经多子堆积、耗尽、反型等状态。并通过开尔文探针测 得表面势V 与Qsc之间的函数关系，进而算得界面态密度D 。 sb it 1 T/IAWBS XXX—XXXX 5 干扰因素 5.1 样品制备、测试仪器操作、测试机台维护后的调试，均对测试结果的准确性与 稳定性有很大影响，相关的测试人员应经过严格的培训； 5.2 样品表面的沾污，会影响样品表面的状态，造成测试误差； 5.3 新鲜的样品，可能表面带有静电，造成测量误差 5.4 用于校准仪器的质量监控片应定期校准。 6 仪器设备 非接触CV测试仪 7 样品制备 首先对碳化硅外延片进行标准的RCA清洗，清洗完成后，再使用高温氧化炉机台进 行栅氧工艺，形成碳化硅栅氧界面态。 8 测试程序 8.1 将待测片放在指定位置，由机械传输将样品移到测试区； 8.2 设置相应的测试参数和测试点。 8.3 测试点应均匀地分布在晶片的表面，并应去除样品表面的边缘部分； 8.4 扫描结束，得到Dit与Vsb 的关系图。 2 T/IAWBS XXX—XXXX 9 试验数据处理 分别在无光照和光照条件下，测得样品表面接触电势差V （dark）和V （light），进 cpd cpd 而得到表面势垒V 。并通过开尔文探针测得表面势V 与Qsc之间的函数关系，进而算得界面