半导体专业实验补充silvaco器件仿真.docxVIP

实验 2 PN 结二极管特性仿真 1、实验内容 PN 结穿通二极管正向I-V 特性、反向击穿特性、反向恢复特性等仿真。 结构和参数：PN结穿通二极管的结构如图1所示，两端高掺杂，n-为耐压层，低掺杂， 具体参数：器件宽度4μm，器件长度20μm，耐压层厚度16μm，p+区厚度2μm，n+区厚度2μm。 掺杂浓度：p+区浓度为1×1019cm-3，n+区浓度为1×1019cm-3，耐压层参考浓度为5×1015 cm-3。 0 0 W p+ n- n+ 图 1 普通耐压层功率二极管结构 2、实验要求 掌握器件工艺仿真和电气性能仿真程序的设计 掌握普通耐压层击穿电压与耐压层厚度、浓度的关系。 3、实验过程 #启动Athena go athena #器件结构网格划分； line x loc= spac= line x loc= spac= line y loc= spac= line y loc= spac= line y loc=10 spac= line y loc=18 spac= line y loc=20 spac= #初始化Si 衬底； init silicon =5e15 orientation=100 #沉积铝； deposit alum thick= div=10 #电极设置 electrode name=anode x=1 electrode name=cathode