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关于成立刻蚀设计公司实施方案.docx

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    泓域咨询/关于成立刻蚀设计公司实施方案 关于成立刻蚀设计公司 实施方案 xx有限责任公司 报告说明 集成电路的发展除了不断缩小线宽外，其器件结构也趋于复杂，逐步向多层化发展。例如内存DRAM主要朝缩小尺寸进展，并引入凹栅，埋入式字线等3D结构。而D闪存已全面进入3D时代，通过增大堆叠的层数，3DD的层级也从64层，128层，向192层及200层以上发展。 1、DRAM结构微缩与多层化并举 DRAM存储器的存储单元核心结构，可分为深槽电容和晶体管两个部分。DRAM晶体管的微缩进展大部分与逻辑制程类似，对于自对准多重图形和多重曝光依赖逐步加深，需要更多更先进的刻蚀机设备；而电容槽的刻蚀则

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