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第一篇 习题 半导体中的电子状态 、 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明之。 、 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 、 试指出空穴的主要特征。 、简述 Ge、Si 和 GaAS 的能带结构的主要特征。 、某一维晶体的电子能带为 E(k ) ? E  ?1 ? 0.1cos(ka) ? 0.3sin(ka)? 0 其中 E =3eV，晶格常数 a=5х10-11m。求： 0 能带宽度； 能带底和能带顶的有效质量。 第一篇 题解 半导体中的电子状态刘诺 编 、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子 -空穴对。 如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的 电子被激发到导带中。 、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允 带变宽，则导致允带与允带之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将 导致禁带变宽。 因此，Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数。 、 解： 空穴是未被电子占据的空量子态，被用来描述半满带中的大量电 子的集体运动状态，是准粒子。主要特征如下： A、荷正电：+q； B、空穴浓度表示为 p（电子浓度表示为 n）； C、EP=-