南京理工大学材料科学研究课件材科研究6.pptVIP

扭转晶界：上下晶体扭转一很小角度形成的扭转晶界。（c）为扭转晶界上原 子排列示意图，可以看出扭转晶界实际上是又交叉的螺位错组成。右图即为其 衍衬像。螺位错形成的网格像。 扭转晶界形成几何示意图 大角晶界：即一侧处于反射位置，而另一侧不处于反射位置的晶界。相当于楔形晶体，即形成明暗相间的条纹像（等厚条纹） Ni-Al合金中的扭转晶界和大角晶界 A-小角扭转晶界（网格图案）B-大角晶界（等厚条纹） 6．11．1薄膜样品要求 1）材质相同。从大块材料中取样，保证薄膜样品的组织结构与大块材料相同。 2）薄区要大。供电子束透过的区域要大，便于选择合适的区域进行分析。 3）具有一定的强度和刚度。因为在分析过程中，电子束的作用会使样品发热变形，增加分析困难。 4）表面保护，保证样品表面不被氧化，特别是活性较强的金属及其合金，如Mg及Mg合金，在制备及观察过程中极易被氧化，因此在制备时要做好气氛保护，制好后立即进行观察分析，分析后真空保存，以便重复使用。 5）厚度适中。一般在50～200nm之间为宜，便于图像与结构分析。 6．11透射电镜的样品制备 制备方法较多，常见的有两种：复型法和薄膜法。 6．11．2薄膜样品的制备过程 1．切割 0.3～0.5mm的薄片 2．预减薄 常有两种方法： 1）机械研磨法－各种试样 2）化学反应法－金属试样 3．终减薄 根据试样能否导电，终减薄的方法