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晶体三极管输入和输出特性会计学mA?AV第1页/共27页 特性曲线ICIBECVRBUCEUBEEB 实验线路首 页上一页下一页UCE =0.5VUCE=0VIB(?A)UCE ?1BE(V)0.40.8第2页/共27页1.5一、输入特性工作压降： 硅管UBE?0.6~0.7V,锗管UBE?0.2~0.3V。 死区电压，硅管0.5V，锗管0.2V。首 页上一页下一页ib (μA)UCE=1UCE=0UCE=10U（BR）EBOuBEICBO＋ICEO第3页/共27页3、三极管共射组态的输入特性曲线BJT的输入特性曲线为一组曲线iB (μA)UCE=1UCE=0UCE=10uBE第4页/共27页../../donghua/DZXL_M0204_ShuRu.swf动画 三极管的输入特性第5页/共27页三极管的输入和输出特性一、共发射极输入特性曲线 集射极之间的电压VCE一定时，发射结电压VBE与基极电流IB之间的关系曲线。../../flash/2/2.1.9.swf图../../flash/2/2.1.9.swf2.1.9 ../../flash/2/2.1.9.swf共发射极输入特性曲线第6页/共27页由图可见：1．当V CE ≥2 V时，特性曲线基本重合。2．当VBE很小时，IB等于零， 三极管处于截止状态；3．当VBE大于门槛电压（硅管 约0.5V，锗管约0.2V）时， IB逐渐增大，三极管开始导 通。4．三极管导通后，VBE基本不 　 变。硅管约为0.7V，锗管 　 约为0.3V，称为三极管的导 　 通电压。5．VBE与IB成非线性关系。mA?AV第7页/共27页 特性曲线ICIBECVRBUCEUBEEB 实验线路首 页上一页下一页IC(mA )100?A480?A360?A240?A120?AIB=03126UCE(V)9第8页/共27页1.5有三个区：饱和区放大区截止区首 页上一页下一页ib (μA)UCE=1临界饱和线UCE=0击穿区UCE=10iCiB=iB5iB=iB4iB=iB3U（BR）EBOiB=iB2uBEiB=iB1饱和区ICBO＋ICEOiB=-ICBOU（BR）CEOuCE截止区第9页/共27页三、 三极管特性曲线（讲授40分钟）临界饱和线击穿区iCiB=iB5iB=iB4iB=iB3iB=iB2iB=iB1iB=-ICBOuCEU（BR）CEO2、三极管共射组态的输出特性曲线： 第10页/共27页饱和区截止区临界饱和线击穿区iCiB=iB5饱和区iB=iB4iC4iB=iB3iC3iB=iB2iC2iB=iB1iC1iB=-ICBOuCE截止区U（BR）CEO第11页/共27页在放大区，iC随着iB按β倍成比例变化，晶体管具有电流放大作用。对输入信号进行放大就要使三极管工作在放大区。 放大区的特点是：发射结正偏，集电结反偏，iC＝βiB。EC ICBO击穿区iCiB=iB5iB=iB4iB=iB3iB=iB2iB=iB1uCE截止区U（BR）CEO第12页/共27页 IB = 0 的曲线以下的区域称为截止区。IB = 0 时, IC = ICEO(很小)。对 NPN 型硅管，当UBE 0.5 V 时，即已开始截止，但为了使晶体管可靠截止，常使 UBE ? 0，截止时集电结也处于反向偏置(UBC 0)，此时, IC ? 0 ，UCE ? UCC 。iB=-ICBO临界饱和线击穿区iCiB=iB5iB=iB4iB=iB3iB=iB2iB=-ICBOiB=iB1uCE截止区U（BR）CEO第13页/共27页(3) 饱和区 当 UCE UBE 时， 集电结处于正向偏置(UBC 0)，晶体管工作于饱和状态。在饱和区，IC 和 IB 不成正比。此时，发射结也处于正向偏置，UCE ? 0 ， IC ? UCC/RC 。当uCE较小时，曲线陡峭，这部分称为饱和区。在饱和区，iB增加时iC变化不大，不同iB下的几条曲线几乎重合，表明iB对iC失去控制，呈现“饱和”现象。饱和区饱和区的特点是：发射结和集电结都正偏，三极管没有放大作用。 条件：发射结反偏或两端电压为零。 特点： 。条件：发射结和集电结均为正偏。特点： 。称为饱和管压降，小功率硅管约0.3V，锗管约为0.1V。条件：发射结正偏，集电结反偏特点： IC受IB控制 ，即 。第14页/共27页输出特性曲线可分为三个工作区:1. 截止区2 .饱和区3 .放大区 在放大状态，当IB一定时，IC不随VCE变化，即放大状态的三极管具有恒流特性。 IB = 40 ?A30 ?A20 ?A10 ?A0UCE /V第15页/共27页第二章 晶体三极管IC /mA 输出特