武汉理工材料物理学12.pptxVIP

会计学;5.4.4半导体陶瓷的缺陷化学理论基础;半导体陶瓷是由一种或数种金属氧化物，采用陶瓷制备工艺制备的多晶体半导体材料 ;半导体陶瓷的典型特性 ;研究半导体陶瓷，采用一般的半导体理论是不够的。为了深入了解半导体陶瓷材料的电性能，就要研究晶体中存在的原子缺陷和电子缺陷这些点缺陷的产生、存在状态、相互依存、转化与运动的规律。为此，在统计热力学的基础上建立了缺陷化学理论，即利用热力学中的质量作用定律，研究各种缺陷的浓度与温度及氧分压的关系，从中找出各种缺陷形式的热力学参数，对照能带理论确定材料的各种电学参数。 ;　在半导瓷中，晶体缺陷类型包括点缺陷、位错、晶界及表面等。点缺陷又可分为原子缺陷、电子缺陷、极化子、激子、声子等。其中的原子缺陷和电子缺陷可采用克鲁格维克（Kr?ger-Vink）符号系统来表征。;　以MO型氧化物晶体为例说???。用M表示金属元素，O表示氧，V代表空位，e代表电子，h代表空穴。 ;MO晶体中可能存在如下的各种点缺陷：;（1）若MO晶体中形成肖脱基（Schottky）缺陷，可用如下反应式来表示： ;（2）弗伦克尔（Frenkel）缺陷的准化学反应式为 ;（3）电子缺陷 　当五价磷原子代替晶格中四价硅原子，形成n型半导体，产生电荷缺陷，其准化学反应式为： 　;写出准化学反应的规则 ;（2）格点数变化规则 　反应过程中，当某种子晶格的格点数增加或减少时，另一种子晶格的格点数也相应增加或减少，以满足第一条关于“晶格结点相对数目”的规则。 ;（3）质量守恒： 　准化学反应式两边的质量总和应相等，其中空格点质量为零 ;（4）如果晶体中存在填隙原子，应在反应式中引入填隙空格点。 　例如，金属原子从气相进入MO晶体的填隙位置，则相应的准化学反应式写成： ;（5）电中性条件 　在描述电离原子缺陷和电子缺陷形成的准化学反应时，必须符合晶体中的电中性条件，即晶格中带负电荷的质点总数与带正电荷的质点总数相等。;质量作用定律表达形式 ;;若平衡条件（1），或（2），或（3）不满足，则化学反应就要进行。反应正向进行的条件是 ;化学势μ ;;点缺陷准化学反应系统的质量作用定律