压阻式传感器.ppt

63 在110晶向：扩散两个切向电阻 在110晶向：扩散两个径向电阻 第63页，共106页。 64 r 结论:将电阻扩散到硅膜片的边缘！ 第64页，共106页。 65 或扩散在r=0.812a处，此时σt=0 注意：为r=a处的2/3左右。 第65页，共106页。 66 方案二：只利用纵向压阻效应 在110晶向的园形硅膜片上，沿110晶向在0.635a之内与之外各扩散两个P型电阻条，110的横向为001 110 001 R1 R2 R3 R4 第66页，共106页。 67 在0.635a之内σr为正，在0.635a之外σr为负，所以： 第67页，共106页。 68 R1 R2 R3 R4 第二种布片方法 第68页，共106页。 69 第69页，共106页。 70 传感器典型结构 第70页，共106页。 71 三角翼表面气体压力测量 第71页，共106页。 72 二、压阻式加速度传感器 110 110 m：质量块的质量(kg) b,h：悬臂梁的宽度和厚度（m） l：质量块的中心至悬臂梁根部的距离（m） a：加速度(m/s2) 悬臂梁单晶硅衬底采用（001）晶面，沿 110与110晶向分别扩散二个P型电阻条： 基座 l b h 第72页，共106页。 73 在110晶向扩散两个P型电阻R1R2 110晶向的压阻系数： 第73页，共106页。 74 在110晶向扩散两个P型电阻R3R4 110晶向的压阻系数： 第74页，共106页。 75 归纳： 第75页，共106页。 31 硅压阻系数的典型数据 1）对P型硅： π11、 π12≈0，只考虑π44 2）对N型硅 ： π44 ≈0 ， π12 ≈ -1/2π 11 请注意：认为某个系数近似为零只是用 于分析设计，抓主要矛盾！！！ 第31页，共106页。 32 硅压阻系数确定路线： 取正六面 体单晶硅 根据材料确定独 立压阻系数分量 π11、 π12、π44 确定待求方向 的方向余弦 取晶向为参 考坐标方向 计算纵向、横向压阻系数 第32页，共106页。 33 关于方向余弦 某密勒指数为x,y,z的晶向的方向余弦为： 第33页，共106页。 34 例1：计算（100）晶面内〈011〉晶向的纵向与横向压阻系数。 z x y （011） （100） 第34页，共106页。 35 解：设（100）晶面内〈011〉晶向的横向为C，则： z x y （011） （100） 第35页，共106页。 36 设〈011〉与〈011〉晶向的方向余弦分别为：l1、m1、n1, 和 l2、m2、n2，所以： 第36页，共106页。 37 第37页，共106页。 38 例2：计算（110）晶面内〈110〉 晶向的纵向与横向压阻系数。 z x y （110） 110 第38页，共106页。 39 解：做法1：（110）晶面内〈110〉晶向的横向为C. 取001 z x y （110） 110 001 第39页，共106页。 40 设（110）晶面内晶向的一般形式为〈hkl〉,则： （110）晶面内〈110〉晶向的横向为〈001〉 做法2（根据规律试凑）： 做点乘验证 正确 第40页，共106页。 41 设〈110〉与〈001〉晶向的方向余弦分别为：l1、m1、n1, 和 l2、m2、n2 所以： 第41页，共106页。 42 第42页，共106页。 43 例3：做出P型硅（100）晶面内纵向与横向压阻系数分布图。 解：设（100）晶面内晶向的一般形式为〈hkl〉,则： 第43页，共106页。 44 设P与Q的方向余弦为：l1、m1、n1, l2、m2、n2，根据图中P、Q的方向，有： 1 2 3 α P Q 第44页，共106页。 45 第45页，共106页。 46 压阻系数对2轴（010晶向）和3轴（001晶向）对称。 压阻系数对011和011晶向对称。 压阻系数在011和011晶向最大。 3 2 010 010 011 011 001 001 011 011 以极坐标 形式表示 第46页，共106页。 47 表面杂质浓度Ns（1/cm3) π11 或 π44 三、影响压阻系数大小的因素 1、压阻系数与表面杂质浓度的关系 扩散杂质浓度(1018~1021)增加，压阻系数减小。 P型Si（π44) N型Si（π11) 第47页，共106页。 48 解释： ρ：电阻率 n：载流子浓度 e：载流子所带电荷 μ：载流子迁移率 Ns↑→杂质原子数多→载流子多→ n↑→ρ↓ 杂质浓度Ns↑→ n↑→在应力作用下ρ的变化更小→ △ ρ↓ ↓→△ ρ/ ρ↓→压阻系数减小 第48页，共106页。 49 2、压阻系数与温度的关系 温度升高时