章集成电路中的器件及其模型资料.pptxVIP

会计学第1页/共98页3.1 长沟道MOS器件模型3.1.1 MOS晶体管阈值电压分析3.1.2 MOS晶体管电流方程3.2.1 MOS晶体管的亚阈值电流3.2.2 MOS晶体管的瞬态特性3.2.3 MOS器件模型第2页/共98页MOS晶体管的结构第3页/共98页MOS晶体管工作原理第4页/共98页MOS晶体管工作原理垂直方向能带图第5页/共98页MOS晶体管工作原理沿沟道方向能带图第6页/共98页MOS晶体管阈值电压分析阈值电压的定义：使沟道区源端半导体表面达到强反型时所需要的栅压是区分MOS器件导通和截止的分界点第7页/共98页Switch Model of NMOS Transistor第8页/共98页半导体表面达到强反型的栅压-VT1、阈值电压公式(假设NMOS源端和衬底接地)第9页/共98页第10页/共98页第11页/共98页第12页/共98页第13页/共98页体效应对阈值电压的影响如果衬底和源端之间有电压，阈值电压会发生变化，也称为衬偏效应。NMOS器件一般加负的衬底偏压，即VBS0，源和衬底之间pn结反偏隔离这样耗尽层展宽，阈值电压公式中耗尽层电荷增加，阈值电压增加第14页/共98页引入体效应因子：带衬偏电压的阈值电压公式：体效应引起的阈值电压变化：第15页/共98页体效应A negative bias Vbs =2.5V，causes VT to increase