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2022-12-13 发布于四川
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半导体装置.pdf

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提供半导体装置。在一实施例中，半导体装置包含在基底的第一部分正上方的第一纳米结构和在基底的第二部分正上方的第二纳米结构、耦合至第一纳米结构的n型源极/漏极部件和耦合至第二纳米结构的p型源极/漏极部件、以及设置在基底的第一部分和基底的第二部分之间的隔离结构。隔离结构包含直接接触基底的第一部分并具有第一高度的第一微笑区。隔离结构也包含直接接触基底的第二部分并具有第二高度的第二微笑区，第一高度大于第二高度。

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 218004857 U (45)授权公告日 2022.12.09 (21)申请号 202221791483.8 H01L 29/78 (2006.01) (22)申请日 2022.07.