algan背势垒异质结材料的生长优化.docxVIP

PAGE 8 摘 要 　　GaN材料的研究是目前半导体研究的前沿和热点，我国半导体材料市场发展迅速。GaN基HEMT器件因其高迁移率高击穿和大功率等特点在许多领域起着不可替代的作用。在GaN材料不断发展的过程中，人们发现AlGaN/GaN单异质结材料存在一些不足的地方，于是，对GaN基双异质结材料进行研究，这是十分是有意义的。文章第一部分介绍了 GaN基研究的背景和意义，以及发展历程。文章第二部分对GaN基异质结形成的物理基础进行了简要说明，包括AlGaN /GaN 异质结的能带理论和极化理论，对后续研究起到铺垫作用。文章第三部分生长分析了GaN基双异质结材料，结果展现了渐变背势垒结