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电子技术基础自考题模拟 9 (总分：100.00，做题时间：90 分钟) 一、单项选择题(总题数：15，分数：30.00) A．B．1.N 沟道耗尽型 MOS 管的符号是 A． B． C．D．（分数：2.00） C． D． A. √ B. C. D. 解析： 当PN 结外接反向电压时，其内部电流的关系为 （分数：2.00） 扩散电流大于漂移电流B.扩散电流等于漂移电流 C.扩散电流小于漂移电流 √ D.无法确定解析： 阻容耦合放大电路与直接耦合放大电路幅频特性相比较 （分数：2.00） 阻容耦合方式低频特性好 直接耦合方式低频特性好 √ 阻容耦合方式高频特性好D.直接耦合方式高频特